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J-GLOBAL ID：201802260965539107   整理番号：18A0312258

ケイ素埋込みNi(110)の第一原理研究

First-Principles Study of Silicon-Embedded Ni(110)

著者 (2件)： Fukuda T. (Department of Physical Electronics and Informatics, Graduate School of Engineering, Osaka City University) ,  Kishida I. (Department of Mechanical and Physical Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka City University)
資料名： e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)  (e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 15  ページ： 96-101(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0016A  ISSN： 1348-0391  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理全エネルギー計算を行い,Ni(110)表面のケイ素の変位吸着で安定な原子構造を検討した。Ni(110)表面の2×2部の最上層に埋込んだ0~4個のケイ素元素のGibbs自由エネルギーを比較した。ケイ素の単層の半分を埋込んだ時,p(1×2)構造が最小のエネルギーを示し,c(2×2)構造は,p(1×2)構造より13meV/1×1高いエネルギーを示した。4×2部に拡張することで,c(4×2)はp(1×2)構造とほとんど同じエネルギーになった。最密充填[1~10]列に沿った交互Si-Ni鎖がこれらの構造の安定に重要な役割を果たした。ケイ素とニッケルがp(2×1)構造を形成している分離[1~10]列に代わりに並び,p(1×2)構造より276meV/1×1高いエネルギーを示した。p(2×1)構造で,Si-3s状態によって派生した特異な一次元電子バンドを[1~10]方向によって形成した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *埋込み【挿入】 ,  *ニッケル ,  第一原理 ,  エネルギー計算 ,  吸着 ,  Gibbs自由エネルギー ,  結晶構造 ,  充填 ,  バンド構造 ,  結晶面 ,  電子構造 ,  全エネルギー
準シソーラス用語： 最密充填 ,  電子バンド構造

著者キーワード (5件)： Density functional calculations ,  Compound formation ,  Surface relaxation and reconstruction ,  Nickel ,  Silicides

分類 (2件)： その他の物質の化学熱力学(混合系)  (CB02034Q) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

引用文献 (25件)：

• [1] L. J. Chen, Silicide Technology for Integrated Circuits (IEE, London, 2004).
• [2] R. T. Tung, Phys. Rev. Lett. 52, 461 (1984). ( https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.52.461 )
• [3] R. T. Tung, A. F. J. Levi, J. P. Sullivan, and F. Schrey, Phys. Rev. Lett. 66, 72 (1991). ( https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.66.72 )
• [4] B. Lalmi, C. Girardeaux, A. Portavoce, C. Ottaviani, B. Aufray, and J. Bernardini, Phys. Rev. B 85, 245306 (2012). ( https://doi.org/10.1103/PhysRevB.85.245306 )
• [5] M. S. Rahman, T. Nakagawa, and S. Mizuno, Surf. Sci. 642, 1 (2015). ( https://doi.org/10.1016/j.susc.2015.07.024 )

タイトルに関連する用語 (5件)： ケイ素 ,  埋込み ,  Ni ,  第一原理 ,  研究