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J-GLOBAL ID：201802263703946981   整理番号：18A0917629

ポリ(3-ヘキシルチオフェン)薄膜における抽出電流過渡現象から評価した電荷キャリア移動度に及ぼす組込みポテンシャルの影響

Effect of built-in potential on charge carrier mobility evaluated from extraction current transients in poly(3-hexylthiophene) thin film

著者 (4件)： KATAGIRI Chiho (Yamagata Univ., Yamagata, JPN) ,  KATAGIRI Chiho (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAYAMA Ken-ichi (Yamagata Univ., Yamagata, JPN) ,  NAKAYAMA Ken-ichi (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 1  ページ： 011601.1-011601.4  発行年： 2018年01月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(3-ヘキシルチオフェン)膜の電荷キャリア移動度を,暗条件下での線形増加電圧(CELIV)法による電荷抽出を用いて推定した。実際のデバイスと同様の厚さの薄膜の移動度を推定するために,対向電極界面における内蔵電位と空乏領域の影響を調べた。電圧走査前の順方向バイアスの適用は推定移動度に影響し,平坦バンド条件は移動度を正確に推定するために必要であった。暗条件下のCELIV移動度を,同じ条件下で薄膜を用いた空間電荷制限電流法により推定した移動度と比較した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ポリヘキシルチオフェン ,  *高分子薄膜 ,  *キャリア移動度 ,  *空間電荷制限電流 ,  *過渡現象 ,  空乏層 ,  暗電流 ,  電圧
準シソーラス用語： 電荷キャリア移動度 ,  空乏領域 ,  フラットバンド電圧

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

物質索引 (1件)： 3-ヘキシルチオフェン

引用文献 (23件)：

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• R. J. Kline, M. D. McGehee, E. N. Kadnikova, J. S. Liu, J. M. J. Frechet, and M. F. Toney, Macromolecules 38, 3312 (2005).
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タイトルに関連する用語 (7件)： 3-ヘキシルチオフェン ,  薄膜 ,  過渡現象 ,  評価 ,  電荷キャリア移動度 ,  組込み ,  ポテンシャル