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J-GLOBAL ID：201802279106890173   整理番号：18A1212231

高温AlNバッファを持つc面サファイア上に成長させた窒素極性(0001)GaN【JST・京大機械翻訳】

Nitrogen-Polar (000 1 ) GaN Grown on c-Plane Sapphire with a High-Temperature AlN Buffer

著者 (3件)： Song Jie (Department of Electrical Engineering, Yale University, New Haven, CT 06520, USA) ,  Song Jie (Saphlux Inc., Branford, CT 06405, USA) ,  Han Jung (Department of Electrical Engineering, Yale University, New Haven, CT 06520, USA)
資料名： Materials (Web)  (Materials (Web))
巻： 10  号： 3  ページ： 252  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7237A  ISSN： 1996-1944  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着により薄いAlNバッファ層を用いて,c面サファイア上に成長する窒素極性(N極性)GaNエピ層を実証した。GaNエピ層の極性,結晶品質および表面形態に及ぼすAlNバッファ層の影響を調べ,AlNバッファ層の成長温度がGaNエピ層の成長に重要な役割を果たすことを見出した。AlNバッファの低い成長温度は,ガリウム極性GaNをもたらす。窒化過程も行った。AlNバッファ層に対する高い成長温度は,純粋なN極性,高い結晶品質,およびGaNエピ層に対する滑らかな表面形態を達成するために必要である。Copyright 2018 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： MOCVD ,  窒化 ,  *窒化アルミニウム ,  バッファ層 ,  *高温 ,  *極性 ,  ガリウム ,  *サファイア ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 表面形態 ,  結晶品質 ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： MOCVD ,  N極性 ,  GaN ,  AlNバッファ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (23件)：

• Yen, S.-H.; Kuo, Y.-K. Polarization-dependent optical characteristics of violet InGaN laser diodes. J. Appl. Phys. 2008, 103, 103115.
• Akyol, F.; Nath, D.N.; Krishnamoorthy, S.; Park, P.S.; Rajan, S. Suppression of electron overflow and efficiency droop in N-polar GaN green light emitting diodes. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 111118.
• Keller, S.; Fichtenbaum, N.A.; Furukawa, M.; Speck, J.S.; Denbaars, S.P.; Mishra, U.K. Growth and characterization of N-polar InGaN/GaN multiquantum wells. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 191908.
• Masui, H.; Keller, S.; Fellows, N.; Fichtenbaum, N.A.; Furukawa, M.; Nakamura, S.; Mishra, U.K.; DenBaars, S.P. Luminescence characteristics of N-Polar GaN and InGaN films grown by metal organic chemical vapor deposition. Jpn. J. Appl. Phys. 2009, 48, 071003.
• Shojiki, K.; Tanikawa, T.; Choi, J.-H.; Kuboya, S.; Hanada, T.; Katayama, R.; Matsuoka, T. Red to blue wavelength emission of N-polar InGaN light-emitting diodes grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Appl. Phys. Express 2015, 8, 061005.

タイトルに関連する用語 (7件)： AlN ,  バッファ ,  サファイア ,  成長 ,  窒素 ,  極性 ,  GaN