特許

J-GLOBAL ID：201803000077244390

半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  三宅 博之
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-005793
公開番号（公開出願番号）：特開2018-101788
出願日： 2018年01月17日
公開日（公表日）： 2018年06月28日
要約：

【課題】電気特性が良好で信頼性の高い薄膜トランジスタをスイッチング素子として用い、同一基板上に画素部と、高速動作が可能な駆動回路部とを有する表示品質及び信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。【解決手段】駆動回路部と画素部において、一方の面に結晶領域を有する酸化物半導体層を活性層として用いた2種類の薄膜トランジスタをそれぞれ形成し、ゲート電極層の配置によりチャネルが形成される領域を選択することにより、薄膜トランジスタの電気特性を選択し、同一基板上に高速動作が可能な駆動回路部と、画素部を有した半導体装置を作製する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、 前記第1のトランジスタは、 基板上に第1の導電層と、 前記第1の導電層上に第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層上に第1の酸化物半導体層と、 前記第1の酸化物半導体層の一部と重なる領域を有する第1のソース電極層及び第1のドレイン電極層と、 前記第1の酸化物半導体層の一部と接する領域を有する第2の絶縁層と、 を有し、 前記第2のトランジスタは、 前記基板上に前記第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層上に第2の酸化物半導体層と、 前記第2の酸化物半導体層の一部と重なる領域を有する第2のソース電極層及び第2のドレイン電極層と、 前記第2の酸化物半導体層の一部と接する領域を有する前記第2の絶縁層と、 前記第2の絶縁層上に第2の導電層と、 を有し、 前記第1の酸化物半導体層の表層部は、結晶領域を有し、 前記結晶領域は、前記第1のソース電極層と接する第1領域と、前記第1のドレイン電極層と接する第2領域と、前記第1領域と前記第2領域とに挟まれ、前記第2の絶縁層と接し、且つ前記第1の導電層と重なる第3領域とを有し、 前記結晶領域は、c軸配向していることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50

FI (7件)：

H01L29/78 618B ,  H01L27/088 C ,  H01L27/088 D ,  H01L27/088 331E ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 612C

Fターム (83件)：

2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB02 ,  2H192CB05 ,  2H192CB08 ,  2H192CB34 ,  2H192CB37 ,  2H192FA65 ,  2H192FA73 ,  2H192FB03 ,  2H192FB15 ,  2H192FB27 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107EE04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB02 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-320678   出願人：富士フイルム株式会社
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-262991   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体機器及びその製法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-540385   出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• 薄膜トランジスタアレイ及びその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-038429   出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• 半導体集積回路およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-221022   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所