特許
J-GLOBAL ID:201803000651000004
高周波増幅器モジュール
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 楓国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-162376
公開番号(公開出願番号):特開2018-032915
出願日: 2016年08月23日
公開日(公表日): 2018年03月01日
要約:
【課題】必要とされる出力信号レベルが高くても、特性劣化を抑制し、優れた放熱性を実現する。【解決手段】高周波増幅器モジュール10は、半導体基板200と絶縁性基板80とを備える。半導体基板200は、複数の高周波増幅用トランジスタ21、22、23、24のエミッタがそれぞれに接続された複数のエミッタ用電極Pe21、Pe22、Pe23、Pe24を備える。絶縁性基板80は、共通グランド電極810、グランド用端子電極820、および、厚み方向接続電極701、702、703を備える。共通グランド電極810は、表面または該表面付近に形成され、複数のエミッタ用電極Pe21、Pe22、Pe23、Pe24が接合されている。グランド用端子電極820は、絶縁性基板80の裏面に形成されている。厚み方向接続電極701、702、703は、共通グランド電極810とグランド用端子電極820を接続している。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
1つの高周波信号を増幅する複数の高周波増幅用トランジスタが形成された半導体基板と、
互いに対向する表面および裏面を有する絶縁性基板と、を備え、
前記半導体基板は、前記複数の高周波増幅用トランジスタのエミッタがそれぞれに接続された複数のエミッタ用電極を備え、
前記絶縁性基板は、
前記表面または該表面付近に形成され、前記複数のエミッタ用電極が接合される共通グランド電極と、
前記裏面に形成されたグランド用端子電極と、
前記共通グランド電極を、前記グランド用端子電極に接続する厚み方向接続電極と、
を備える、
高周波増幅器モジュール。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (12件):
5J500AA01
, 5J500AA21
, 5J500AA41
, 5J500AC27
, 5J500AC57
, 5J500AF16
, 5J500AH06
, 5J500AH33
, 5J500AK12
, 5J500AK29
, 5J500AM19
, 5J500AS14
引用特許:
出願人引用 (6件)
-
高周波用電力増幅器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-339983
出願人:京セラ株式会社
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-093000
出願人:株式会社ルネサステクノロジ
-
半導体チップおよび高周波増幅器
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-355901
出願人:松下電器産業株式会社
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-199660
出願人:株式会社東芝
-
電力増幅器
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-114341
出願人:松下電器産業株式会社
-
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2013-204860
出願人:凸版印刷株式会社
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審査官引用 (6件)
-
半導体チップおよび高周波増幅器
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-355901
出願人:松下電器産業株式会社
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電力増幅器
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-114341
出願人:松下電器産業株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-093000
出願人:株式会社ルネサステクノロジ
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-199660
出願人:株式会社東芝
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高周波用電力増幅器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-339983
出願人:京セラ株式会社
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半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2013-204860
出願人:凸版印刷株式会社
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