特許
J-GLOBAL ID：201803002696884275
レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-198398
公開番号（公開出願番号）：特開2015-062923
特許番号：特許第6241174号
出願日： 2013年09月25日
公開日（公表日）： 2015年04月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 レーザー光を出射する出射源と、
単結晶基板上に複数の単位デバイスパターンを2次元的に繰り返し配置してなるパターン付き基板を固定可能なステージと、
を備え、
前記出射源と前記ステージとを相対的に移動させることにより前記レーザー光を所定の加工予定線に沿って走査しつつ前記パターン付き基板に照射可能なレーザー加工装置であって、
前記レーザー光のそれぞれの単位パルス光によって前記パターン付き基板に形成される加工痕が前記加工予定線に沿って離散的に位置するように前記レーザー光を照射することで、それぞれの前記加工痕から前記パターン付き基板に亀裂を伸展させる、亀裂伸展加工が実行可能であるとともに、
前記ステージに載置された前記パターン付き基板に対し照明光としてIR光を発する照明手段と、
前記ステージに載置された前記パターン付き基板を撮像可能な撮像手段と、
前記亀裂伸展加工の際に前記レーザー光の照射位置を前記加工予定線からオフセットさせるためのオフセット条件を設定するオフセット条件設定手段と、
をさらに備え、
前記オフセット条件設定手段は、
前記複数の単位デバイスパターンが形成されてなる側が被載置面となるように前記パターン付き基板を前記ステージに載置した状態で、前記パターン付き基板のうち前記被載置面の反対面の一部箇所を前記オフセット条件設定用の前記亀裂伸展加工の実行箇所として設定し、前記実行箇所に対し前記オフセット条件設定用の前記亀裂伸展加工である仮加工を行わせるとともに、
前記撮像手段に前記仮加工の前後において、前記照明手段から前記IR光を前記照明光として発した状態で、前記パターン付き基板の前記複数の単位デバイスパターンが形成されてなる側の面に焦点を合わせた状態で前記仮加工の前記実行箇所を撮像させることにより、第1と第2の撮像画像を取得させ、
前記第1と第2の撮像画像のそれぞれについて前記仮加工の際の加工方向に沿って画素値を積算することで第1と第2の画素値プロファイルを生成したうえで、前記第1と第2の画素値プロファイルの差分値プロファイルを生成し、前記差分値プロファイルに基づいて、前記パターン付き基板を個片化するための前記亀裂伸展加工の際に前記レーザー光の前記照射位置をオフセットさせるべき方向を特定する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
IPC (8件)：
B23K 26/03 ( 200 6.01)
, B23K 26/02 ( 201 4.01)
, B23K 26/00 ( 201 4.01)
, B23K 26/18 ( 200 6.01)
, B23K 26/53 ( 201 4.01)
, B23K 26/70 ( 201 4.01)
, H01L 21/301 ( 200 6.01)
, B28D 5/00 ( 200 6.01)
B23K 26/03
, B23K 26/02 A
, B23K 26/00 P
, B23K 26/18
, B23K 26/53
, B23K 26/70
, H01L 21/78 L
, H01L 21/78 B
, B28D 5/00 Z
