特許
J-GLOBAL ID：201203062947510041

LEDチップの製造方法

発明者：
木山 直哉

木山 直哉 について

, 
中谷 郁祥

中谷 郁祥 について


出願人/特許権者：
三星ダイヤモンド工業株式会社

三星ダイヤモンド工業株式会社 について


代理人 (1件)： 鹿島 義雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-012547
公開番号（公開出願番号）：特開2012-156217
出願日： 2011年01月25日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：
【課題】裏面側からレーザ照射することにより分割起点を形成する場合に、予め、別途に分割予定ラインに沿って反射膜を除去しておく必要のないLEDの製造方法を提供する。【解決手段】 光透過性基板1の表面側1aに複数のLED素子本体2がパターン形成されるとともに、裏面側1bに反射膜3が分割予定ライン上も含めて形成されているマザー基板1に対し、分割予定ラインに沿ってレーザビームLを照射することによってLED素子本体2ごとに分割するための分割起点Aを形成する工程を含むLEDチップの製造方法であって、反射膜3としてLED素子本体2が発する発光光および蛍光材料による蛍光の波長範囲を反射し、かつ、分割予定ラインに照射するレーザビームLの波長光を透過する性質を有する反射膜3を裏面側1bに形成し、レーザビームLを裏面側1bから反射膜3を透過させて基板裏面に直接照射するようにして基板1をレーザ加工する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
光透過性基板の表面側に複数のLED素子本体がパターン形成されるとともに、裏面側に反射膜が分割予定ライン上も含めて形成されているマザー基板に対し、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射することによってLED素子本体ごとに分割するための分割起点を形成する工程を含むLEDチップの製造方法であって、 前記反射膜として前記LED素子本体が発する発光光の波長範囲を反射し、かつ、分割予定ラインに照射するレーザビームの波長光を透過する性質を有する反射膜を裏面側に形成し、 前記レーザビームを裏面側から反射膜を透過させて基板裏面に直接照射するようにして基板をレーザ加工することを特徴とするLEDチップの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 33/02 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/38
FI (6件)：
H01L33/00 100 ,  H01L33/00 186 ,  H01L21/78 B ,  B23K26/00 H ,  B23K26/00 N ,  B23K26/38 320
Fターム (22件)：
4E068AE01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA03 ,  4E068CA04 ,  4E068CA11 ,  4E068CD01 ,  4E068CD05 ,  4E068CF00 ,  4E068DA09 ,  4E068DB12 ,  5F041AA42 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CB36 ,  5F141AA42 ,  5F141CA12 ,  5F141CA40 ,  5F141CA76 ,  5F141CA77 ,  5F141CB36
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)

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