金属配線構造及び金属配線形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：平井安雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-044795
公開番号（公開出願番号）：特開2018-148165
出願日： 2017年03月09日
公開日（公表日）： 2018年09月20日
要約：

【課題】配線の側面側に当該配線が露出するような空隙を形成することで、アニール処理の際に格子欠陥を配線の露出部分(空隙部分)に集積して配線の品質を向上させる金属配線構造及び金属配線形成方法を提供する。【解決手段】絶縁層10に形成された溝にCu配線12が埋設されて形成され、当該Cu配線12の一部の側面に前記Cu配線12が露出する空隙13が形成されているものである。また、前記絶縁層10に形成された前記溝内の表面にバリア層11が形成されており、当該バリア層11の表面に前記Cu配線12が埋設されて形成されており、前記空隙13の部分は前記バリア層11が排除、又は前記バリア層11との境界に前記空隙13が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁層に形成された溝に金属配線が埋設されて形成され、当該金属配線の一部の側面に前記金属配線が露出する空隙が形成されていることを特徴とする金属配線構造。

IPC (6件)：

H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 23/532 , H01L 21/28 , H01L 21/288

FI (5件)：

H01L21/88 A , H01L21/88 M , H01L21/28 B , H01L21/28 301R , H01L21/288 E

Fターム (33件)：

4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB32 , 4M104DD03 , 4M104DD52 , 4M104DD63 , 4M104DD78 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104HH20 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH32 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033MM23 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033RR29 , 5F033UU03 , 5F033XX00 , 5F033XX33

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置の製造方法及びその半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-152982 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-341823 出願人：富士通株式会社
半導体装置の配線構造
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-165013 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法及びその半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-152982 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-341823 出願人：富士通株式会社
半導体装置の配線構造
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-165013 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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