特許
J-GLOBAL ID：201803003044339077
パワーオーバーレイ構造およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
荒川 聡志
, 小倉 博
, 田中 拓人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-099258
公開番号（公開出願番号）：特開2018-152591
出願日： 2018年05月24日
公開日（公表日）： 2018年09月27日
要約：
【課題】改善されたサーマルインターフェースを有するPOL構造を提供する。【解決手段】半導体デバイスモジュールが、誘電層48と、誘電層に結合された第1の表面を有する半導体デバイス43、44、45と、誘電層に結合された第1の表面を有する導電性シム60と、を含む。半導体デバイスは、また、半導体デバイスの第2の表面と導電性シムの第2の表面とに結合された第1の表面を有する導電性コンタクト層62を含む。メタライゼーション層52が、半導体デバイスの第1の表面と導電性シムの第1の表面とに結合されている。このメタライゼーション層は、誘電層を通って延び、導電性シムと導電性コンタクト層とによって半導体デバイスの第2の表面に電気的に接続されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
誘電層と、
前記誘電層の表面に塗布された接着層(50)と、
前記接着層によって前記誘電層に結合された第1の表面を有する半導体デバイスであって、前記第1の表面が、その上に配置された少なくとも1つのコンタクトパッド(58)を備える、前記半導体デバイスと、
前記接着層によって前記誘電層に結合された第1の表面を有する導電性シムと、
前記半導体デバイスの第2の表面と前記導電性シムの第2の表面とに結合された第1の表面を有する導電性ヒートスプレッダと、
前記半導体デバイスの前記第1の表面と前記導電性シムの前記第1の表面とに結合されており、前記誘電層を通って延び、前記導電性シムと前記ヒートスプレッダとによって前記半導体デバイスの前記少なくとも1つのコンタクトパッド(58)に電気的に接続されているメタライゼーション層と
を備える、
半導体デバイスパッケージ。
IPC (3件)：
H01L 23/36
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L23/36 D
, H01L25/04 C
, H01L23/36 Z
5F136BC03
, 5F136BC05
, 5F136BC07
, 5F136EA13
, 5F136EA23
, 5F136FA02
, 5F136FA03
, 5F136FA04
, 5F136FA14
, 5F136FA22
, 5F136FA52
, 5F136FA53
