特許
J-GLOBAL ID：201403021253757089

パワーオーバーレイ構造およびその製造方法

発明者：
アルン・ヴィルパクシャ・ゴウダ

アルン・ヴィルパクシャ・ゴウダ について

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シャクティ・シン・チャウハン

シャクティ・シン・チャウハン について

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ポール・アラン・マッコネリー

ポール・アラン・マッコネリー について


出願人/特許権者：
ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ

ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ について


代理人 (4件)： 荒川 聡志 ,  小倉 博 ,  黒川 俊久 ,  田中 拓人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-048290
公開番号（公開出願番号）：特開2014-179612
出願日： 2014年03月12日
公開日（公表日）： 2014年09月25日
要約：
【課題】改善されたサーマルインターフェースを有するPOL構造を提供すること。【解決手段】半導体デバイスモジュールが、誘電層と、誘電層に結合された第1の表面を有する半導体デバイスと、誘電層に結合された第1の表面を有する導電性シムと、を含む。半導体デバイスは、また、半導体デバイスの第2の表面と導電性シムの第2の表面とに結合された第1の表面を有する導電性ヒートスプレッダを含む。メタライゼーション層が、半導体デバイスの第1の表面と導電性シムの第1の表面とに結合されている。このメタライゼーション層は、誘電層を通って延び、導電性シムとヒートスプレッダとによって半導体デバイスの第2の表面に電気的に接続されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
誘電層と、 前記誘電層に結合された第1の表面を有する半導体デバイスと、 前記誘電層に結合された第1の表面を有する導電性シムと、 前記半導体デバイスの第2の表面と前記導電性シムの第2の表面とに結合された第1の表面を有する導電性ヒートスプレッダと、 前記半導体デバイスの前記第1の表面と前記導電性シムの前記第1の表面とに結合されており、前記誘電層を通って延び、前記導電性シムと前記ヒートスプレッダとによって前記半導体デバイスの前記第2の表面に電気的に接続されているメタライゼーション層と を備えている半導体デバイスモジュール。
IPC (5件)：
H01L 23/29 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/12
FI (4件)：
H01L23/36 A ,  H01L25/04 C ,  H01L23/36 D ,  H01L23/12 501P
Fターム (10件)：
5F136BA04 ,  5F136BB18 ,  5F136BC07 ,  5F136DA42 ,  5F136EA13 ,  5F136EA23 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA23 ,  5F136FA63
引用特許：
審査官引用 (9件)
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