基板処理装置、ノズル基部および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-189639
公開番号（公開出願番号）：特開2018-056280
出願日： 2016年09月28日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
要約：

【課題】複数枚の基板を一括して処理する縦型基板処理装置において、ノズル脱着時のメンテナンス性を向上させる。【解決手段】反応管10と前記反応管10を下方から支持するマニホールド18とにより構成され、内部で基板を処理する処理容器と、基板に対して処理ガスを供給するノズル44と、ノズル44を処理容器内に立設させる接続部60と、を有する。接続部60は、マニホールド18に設けられた導入部に挿入される筒部72と筒部72の端部に形成される板部74とで構成される固定部70と、板部74と係合する係合部とノズル44が設置される設置部とで構成され、固定部70に取り付けられる取付け部80と、を有する。係合部には切欠きが形成されており、板部74と切欠きが当接されるように構成される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

反応管と前記反応管を下方から支持するマニホールドとにより構成され、内部で基板を処理する処理容器と、前記基板に対して処理ガスを供給するノズルと、前記ノズルを前記処理容器内に立設させる接続部と、を有し、前記接続部は、前記マニホールドに設けられた導入部に挿入される筒部と前記筒部の端部に形成される板部とで構成される固定部と、前記板部と係合する係合部と前記ノズルが設置される設置部とで構成され、前記固定部に取り付けられる取付け部と、を有し、前記係合部には切欠きが形成されており、前記板部と前記切欠きが当接されるように構成される基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 , H01L 21/302 , C23C 16/44 , H01L 21/324 , H01L 21/22

FI (6件)：

H01L21/31 B , H01L21/31 E , H01L21/302 201Z , C23C16/44 J , H01L21/324 R , H01L21/22 511S

Fターム (50件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030KA04 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F004BA19 , 5F004BB19 , 5F004BB26 , 5F004BD04 , 5F045AA01 , 5F045AA03 , 5F045AA20 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045DP19 , 5F045EB05 , 5F045EF03 , 5F045EF09 , 5F045EG02 , 5F045EK06

引用特許：

出願人引用 (5件)

ガス導入配管接続構造及びこれを用いた熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-021790 出願人：東京エレクトロン株式会社
ガス供給部、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-058275 出願人：株式会社日立国際電気
基板処理装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-214933 出願人：株式会社日立国際電気

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