特許
J-GLOBAL ID：201803005193303932
半導体マスク検査のためのポリゴンベースの幾何学的分類
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-506850
公開番号（公開出願番号）：特表2018-529088
出願日： 2016年08月10日
公開日（公表日）： 2018年10月04日
要約：
フォトリソグラフィマスクの検査のための特徴分類を実現するための方法および装置が開示されている。マスクの製造用の設計データベースが、一組の頂点により各々画定されているポリゴンを含む。互いに当接しているポリゴンのいずれかがグループ化される。各組のグループ化されたポリゴンの内部エッジを除去して、そのような組のグループ化されたポリゴンの覆域に対応するポリゴンを得るために、任意のグループ化されたポリゴンがヒーリングされる。複数の特徴クラスを検出するための要件を定める幾何学的制約が、設計データベースのポリゴンの複数の特徴クラスを検出するために設けられ、用いられる。検出された特徴クラスはマスクの欠陥を検出するのに使用される。
請求項（抜粋）：
フォトリソグラフィマスクの検査のための特徴分類を実現する方法であって、
マスクの製造用の設計データベースを設けるステップであり、前記設計データベースは、一組の頂点により各々画定されている複数のポリゴンを有する、設けるステップと、
互いに当接している前記ポリゴンのいずれかをグループ化するステップと、
各組のグループ化されたポリゴンの内部エッジを除去して、そのような組のグループ化されたポリゴンの覆域に対応するポリゴンを得るために、任意のグループ化されたポリゴンをヒーリングするステップと、
複数の特徴クラスを検出するための要件を定める幾何学的制約を設けるステップと、
ヒーリングする前記ステップが前記設計データベース上で実施された後、前記幾何学的制約に基づいて、前記設計データベースの前記ポリゴン内で複数の特徴クラスを検出するステップと、
前記設計データベースを用いて製造されたマスクの検査において、前記設計データベース内の前記検出された特徴クラスに基づいて、欠陥を検出するステップと
を含むことを特徴とする方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
2G051AA56
, 2G051AB02
, 2G051CA04
, 2G051EB02
, 2G051EB05
, 2G051EC01
, 2G051ED21
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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