特許
J-GLOBAL ID：201803005530513499

スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及び当該酸化物半導体薄膜を備える薄膜トランジスタ

発明者：
但馬 望

但馬 望 について

, 
江端 一晃

江端 一晃 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人平和国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-108455
公開番号（公開出願番号）：特開2018-165407
出願日： 2018年06月06日
公開日（公表日）： 2018年10月25日
要約：
【課題】高密度かつ低抵抗の酸化物半導体用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、亜鉛元素(Zn)及びアルミニウム元素(Al)を含有する酸化物からなり、In2O3で表されるビックスバイト構造化合物と、InGaO3(ZnO)m又はInAlO3(ZnO)m(mは0.1〜10)で表されるホモロガス構造化合物と、ZnAl2O4又はZnGa2O4で表されるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、亜鉛元素(Zn)及びアルミニウム元素(Al)を含有する酸化物からなり、 In2O3で表されるビックスバイト構造化合物と、InGaO3(ZnO)m又はInAlO3(ZnO)m(mは0.1〜10)で表されるホモロガス構造化合物と、ZnAl2O4又はZnGa2O4で表されるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。
IPC (7件)：
C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/316 ,  C04B 35/01
FI (9件)：
C23C14/34 A ,  C23C14/08 K ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 619A ,  H01L21/203 S ,  H01L21/316 X ,  C04B35/01
Fターム (86件)：
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC16 ,  4K029DC33 ,  4K029DC34 ,  4K029EA05 ,  4K029EA09 ,  5F058BA07 ,  5F058BB04 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC07 ,  5F058BD01 ,  5F058BE10 ,  5F058BF07 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ10 ,  5F103AA08 ,  5F103BB05 ,  5F103BB14 ,  5F103BB22 ,  5F103BB23 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103GG10 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103NN05 ,  5F103NN06 ,  5F103PP03 ,  5F103RR04 ,  5F103RR05 ,  5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN39
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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