特許
J-GLOBAL ID：201803006196382058

金属窒化物の高圧窒素アニールのためのプロセス

発明者：
シュミット ジェイソン

シュミット ジェイソン について


出願人/特許権者：
ナイトライド ソリューションズ インコーポレイテッド

ナイトライド ソリューションズ インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-519039
特許番号：特許第6290782号
出願日： 2012年06月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 0.0001Ωcm〜100Ωcmの範囲のp型導電性を有するAlNまたはAlGaNを形成するためのプロセスであって、 成長後のAlNまたはAlGaNをアニール容器内に設置することと、 雰囲気ガスを排気して真空を提供することと、 大気圧を超える圧力である窒素種を含む窒素ガスの圧力を前記排気された容器に加えることと、 前記窒素種を前記AlNまたはAlGaN中に拡散するのに十分な温度まで前記AlNまたはAlGaNを加熱することと、 前記AlNまたはAlGaNを少なくとも1時間アニールすることにより、前記AlNまたはAlGaNの窒素空孔密度を減少させて、アニールされたAlNまたはAlGaNを形成することと、 を含む、プロセス。
IPC (2件)：
C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  C30B 33/02 ( 200 6.01)
FI (3件)：
C30B 29/38 C ,  C30B 29/38 D ,  C30B 33/02
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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