特許
J-GLOBAL ID：201803006972038737
レジストパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
棚井 澄雄
, 松本 将尚
, 宮本 龍
, 飯田 雅人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-023884
公開番号（公開出願番号）：特開2013-178515
特許番号：特許第6266886号
出願日： 2013年02月08日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、並びに前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、
前記基材成分(A)が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)と、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって-SO2-含有環式基を含む構成単位(a2S)と、の繰返し構造を有する高分子化合物を含み、
前記構成単位(a1)全体を100モル%とした際に、その75モル%以上が、下記の一般式(a1-1-011)で表される構成単位であることを特徴とするレジストパターン形成方法。
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。R1は炭素数1〜6のアルキル基であり、vは1である。]
IPC (3件)：
G03F 7/038 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
, C08F 220/18 ( 200 6.01)
G03F 7/038 601
, G03F 7/039 601
, C08F 220/18
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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