特許
J-GLOBAL ID：201803007471115312
ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-265660
公開番号（公開出願番号）：特開2015-122423
特許番号：特許第6312422号
出願日： 2013年12月24日
公開日（公表日）： 2015年07月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基材及び該基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、
前記粘着剤層上に積層された接着フィルムとを備えるダイシング・ダイボンドフィルムであって、
前記接着フィルムは、被着体上に固定された第1半導体素子を包埋し、かつ該第1半導体素子とは異なる第2半導体素子と貼り合わされて該第2半導体素子を被着体に固定するための接着フィルムであり、
前記接着フィルムと前記粘着剤層との間の剥離力が0.03N/20mm以上0.2N/20mm以下であり、
前記接着フィルムは、無機充填剤を含み、
該無機充填剤の含有量は、前記接着フィルムを組成する成分(溶媒を除く。)の合計重量に対し、25〜80重量%であるダイシング・ダイボンドフィルム。
IPC (8件)：
H01L 21/301 ( 200 6.01)
, C09J 7/20 ( 201 8.01)
, C09J 201/00 ( 200 6.01)
, C09J 11/04 ( 200 6.01)
, H01L 21/52 ( 200 6.01)
, H01L 25/065 ( 200 6.01)
, H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
H01L 21/78 M
, H01L 21/78 Q
, C09J 7/02 Z
, C09J 201/00
, C09J 11/04
, H01L 21/52 E
, H01L 21/52 C
, H01L 25/08 E
