メムキャパシタ、ニューロ素子およびニューラルネットワーク装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-183373
公開番号（公開出願番号）：特開2018-049887
出願日： 2016年09月20日
公開日（公表日）： 2018年03月29日
要約：

【課題】長期信頼性を実現するニューラルネットワーク装置を提供する。【解決手段】メムキャパシタ11は、下部電極125と、下部電極125上に設けられた第1誘電体層124と、第1誘電体層124上に互いに離間して設けられた複数の可変抵抗部122と、第1誘電体層124上であって複数の可変抵抗部122の間に設けられた第2誘電体層123と、複数の可変抵抗部122および第2誘電体層123上に設けられた上部電極121と、を備える。各可変抵抗部122は、上部電極121を構成する金属原子の可変抵抗部122内部への拡散を許容する材料で構成され、第2誘電体層123は、上部電極121を構成する金属原子の第2誘電体層123内部への拡散を防止する材料で構成される。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられた第1誘電体層と、前記第1誘電体層上に互いに離間して設けられた複数の可変抵抗部と、前記第1誘電体層上であって前記複数の可変抵抗部の間に設けられた第2誘電体層と、前記複数の可変抵抗部および前記第2誘電体層上に設けられた上部電極と、を備え、各可変抵抗部は、前記上部電極を構成する金属原子の前記可変抵抗部内部への拡散を許容する材料で構成されているメムキャパシタ。

IPC (5件)：

H01L 21/822 , H01L 27/04 , G06N 3/063 , G11C 11/42 , G11C 11/54

FI (5件)：

H01L27/04 C , G06N3/063 , G11C11/42 B , G11C11/54 , H01L27/04 V

Fターム (8件)：

5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AR14 , 5F038AV01 , 5F038CA02 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (7件)

メムキャパシタ・デバイス、電解効果トランジスタ・デバイス、不揮発性メモリ・アレイ、および、プログラミング方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2012-552889 出願人：マイクロンテクノロジー,インク.
識別装置および演算装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-186626 出願人：株式会社東芝
誘電体メモリ素子を有するメモリセル
公報種別：公表公報出願番号：特願2011-545527 出願人：マイクロンテクノロジー,インク.

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