特許
J-GLOBAL ID:201803008431766325
半導体チップをフォイルから取り外すための方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
▲吉▼川 俊雄
, 市川 寛奈
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-236821
公開番号(公開出願番号):特開2014-107555
特許番号:特許第6318568号
出願日: 2013年11月15日
公開日(公表日): 2014年06月09日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体チップをフォイルから取り外すための方法であって、前記方法が、各々が前記取り外しプロセスの予備剥離ステップの継続期間を規定する時間間隔を決定してかつ設定するためのセットアップ段階を含み、各予備剥離ステップ中に、前記半導体チップの少なくとも1つの領域が、まず前記フォイルにくっついたままでかつ曲げられ、かつその後前記フォイルから外れ、前記セットアップ段階が以下のステップ、すなわち:
前記半導体チップの表面上へ実質的に垂直に当たる光によって除去されるべき半導体チップを照明するステップ;
その持続期間が決定されるべき各予備剥離ステップに対して以下の諸ステップ、すなわち:
前記予備剥離ステップを開始するステップ;
下記チェックが前記半導体チップのどの周辺領域も所定の輝度値より暗くない結果に至るまで
2つのステップ:
前記半導体チップの画像の録画および前記予備剥離ステップの開始から経過した前記画像に時間間隔を割り当てるステップ、および、
前記画像の中で、前記半導体チップの周辺領域が所定の輝度値より暗いかどうかチェックするステップ;を繰り返すステップ;ならびに
前記予備剥離ステップを最後の録画された画像と関連する時間間隔またはそこから導かれる時間間隔に割り当てるステップを実施するステップを含むことを特徴とする方法。
IPC (2件):
H01L 21/67 ( 200 6.01)
, H01L 21/52 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 21/68 E
, H01L 21/52 C
引用特許:
出願人引用 (8件)
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特開平4-225537
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ダイエジェクタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-245745
出願人:エセックアーゲー
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金属箔から半導体チップを剥離する方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2013-053218
出願人:ベシスウィツァーランドアーゲー
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-151166
出願人:ソニー株式会社
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-256418
出願人:芝浦メカトロニクス株式会社
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金型排出装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-010229
出願人:エセックアーゲー
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-241559
出願人:株式会社ルネサステクノロジ
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特開昭62-015831
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審査官引用 (8件)
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特開平4-225537
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ダイエジェクタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-245745
出願人:エセックアーゲー
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金属箔から半導体チップを剥離する方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2013-053218
出願人:ベシスウィツァーランドアーゲー
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-151166
出願人:ソニー株式会社
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-256418
出願人:芝浦メカトロニクス株式会社
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金型排出装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-010229
出願人:エセックアーゲー
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-241559
出願人:株式会社ルネサステクノロジ
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特開昭62-015831
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