特許
J-GLOBAL ID：201803008780704590

同一面電極のフォトダイオードアレイ及びその製造方法

発明者：
張 嵐

張 嵐 について

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李 元 景

李 元 景 について

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劉 以 農

劉 以 農 について

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胡 海 帆

胡 海 帆 について

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李 軍

李 軍 について


出願人/特許権者：
同方威視技術股▲分▼有限公司

同方威視技術股▲分▼有限公司 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-562301
公開番号（公開出願番号）：特表2018-518838
出願日： 2016年08月31日
公開日（公表日）： 2018年07月12日
要約：
同一面電極のフォトダイオードアレイ及びその製造方法を開示する。低比抵抗の基材において、高比抵抗のエピタキシャル型のエピタキシャルシリコンウェーハの最上側に、第1導電型高濃度ドーピング領域と第2導電型高濃度ドーピング領域が形成されているが、それぞれ、フォトダイオードのカソードとアノードを構成する。この構成は、カソードとアノードの間に形成され、空隙や絶縁材料、伝導構造、反射材料、イオン注入によって構成可能なトレンチ構造を備え、カソードとアノードの下方に形成された第1導電型高濃度ドーピング領域、絶縁隔離層または絶縁層付きの伝導構造などを含んでも良い。
請求項（抜粋）：
複数の同一面電極のフォトダイオードを含む同一面電極のフォトダイオードアレイであって、 各同一面電極のフォトダイオードは、 第1導電型高濃度ドーピングの半導体基材と、 第1導電型高濃度ドーピングの半導体基材上に形成された第1導電型低濃度ドーピングの半導体層と、 前記第1導電型低濃度ドーピングの半導体層の上部に形成された第2導電型高濃度ドーピングの半導体領域であって、前記第2導電型高濃度ドーピングの半導体領域と前記第1導電型低濃度ドーピングの半導体層とでPN接合のダイオードが形成され、かつ、前記第2導電型高濃度ドーピングの半導体層から光線入射側で第2電極が引き出された第2導電型高濃度ドーピングの半導体領域と、 前記第2導電型高濃度ドーピングの半導体領域を囲む第1導電型高濃度ドーピングの半導体領域であって、前記第1導電型高濃度ドーピングの半導体領域から光線入射側で第1電極が引き出された第1導電型高濃度ドーピングの半導体領域と、 前記第2導電型高濃度ドーピングの半導体領域と前記第1導電型高濃度ドーピングの半導体領域との間に設けられたトレンチ構造と、を備える、 同一面電極のフォトダイオードアレイ。
IPC (1件)：
H01L 31/10
FI (1件)：
H01L31/10 A
Fターム (23件)：
5F849AA02 ,  5F849AB03 ,  5F849AB17 ,  5F849BA03 ,  5F849BA04 ,  5F849BA05 ,  5F849BA30 ,  5F849CB01 ,  5F849CB10 ,  5F849CB14 ,  5F849DA01 ,  5F849EA03 ,  5F849EA07 ,  5F849FA05 ,  5F849FA12 ,  5F849FA18 ,  5F849GA05 ,  5F849HA09 ,  5F849HA12 ,  5F849HA13 ,  5F849JA18 ,  5F849LA07 ,  5F849XB45
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (9件)
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