特許
J-GLOBAL ID：201803009864815769
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平山 一幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-520571
特許番号：特許第6240974号
出願日： 2012年06月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体レーザを構成した半導体装置であって、
前記半導体レーザが、
n層と、
前記n層上に形成され二次元配置された量子ナノドットアレイからなる活性層と、
前記活性層上に形成されるp層と、
前記n層と前記活性層との間に設けられるn型のクラッド層と、
前記活性層と前記p層との間に設けられるp型のクラッド層と、
を備え、
前記量子ナノドットアレイが、
大きさが揃っており間隔が同じであるように二次元配置され、二次元方向に対して垂直方向に厚さを有している量子ナノドットと、
二次元に配置された前記量子ナノドットの間に充填されている中間層と、
を備え、
前記量子ナノドットが半導体からなり、前記量子ナノドットの二次元方向の外径が該半導体中の励起子のボーア半径の2倍以下であり、
前記中間層が前記量子ナノドットよりもバンドギャップの大きい半導体又は絶縁体からなり、
前記活性層内に光吸収が生じるミニバンドが形成されないように、前記量子ナノドット間の前記間隔が6nm〜10nmである、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 31/0352 ( 200 6.01)
, H01S 5/34 ( 200 6.01)
H01L 29/06 601 D
, H01L 31/04 342 A
, H01S 5/34
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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