特許
J-GLOBAL ID：201803010070417295

量子カスケード半導体レーザ

発明者：
辻 幸洋

辻 幸洋 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  ▲高▼木 邦夫 ,  寺澤 正太郎 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-230205
公開番号（公開出願番号）：特開2018-088456
出願日： 2016年11月28日
公開日（公表日）： 2018年06月07日
要約：
【課題】共振器の高反射ミラーのために端面反射膜を用いない構造を有する端面出射型の量子カスケード半導体レーザを提供する。【解決手段】量子カスケード半導体レーザは、基板の第1エリア及び第2エリア上に設けられた第1半導体領域と、基板の第3エリア上に設けられ第1軸の方向に延在する半導体メサとを備え、第1エリア、第2エリア、第3エリア及び第4エリアは第1軸の方向に順に配列され、第1半導体領域は、第1フォトニック結晶構造体を含み、第1半導体領域は、第1フォトニック結晶構造体がフォトニックバンドギャップを有するように配列された複数の孔を含み、第1フォトニック結晶構造体は、孔が第1方向に間引かれ第2エリア上に設けられた第1フォトニック導波路部を有し、半導体メサはコア層及びクラッド層を含み、半導体メサは、第3エリアと第4エリアとの境界に位置する端面を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
量子カスケード半導体レーザであって、 第1エリア、第2エリア、第3エリア及び第4エリアを有する主面を含む基板と、 前記基板の前記第1エリア及び前記第2エリア上に設けられた第1半導体領域と、 前記基板の前記第3エリア上に設けられ第1軸の方向に延在する半導体メサと、 を備え、 前記第1エリア、前記第2エリア、前記第3エリア及び前記第4エリアは、前記第1軸の方向に順に配列され、 前記第1半導体領域は、第1フォトニック結晶構造体を含み、 前記第1半導体領域は、前記第1フォトニック結晶構造体がフォトニックバンドギャップを有するように配列された複数の孔を含み、 前記第1フォトニック結晶構造体は、前記孔が前記第1軸の方向に間引かれ前記第2エリア上に設けられた第1フォトニック導波路部を有し、 前記半導体メサはコア層及びクラッド層を含み、 前記半導体メサは、前記第3エリアと前記第4エリアとの境界に位置する端面を有する、量子カスケード半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S 5/10 ,  H01S 5/34 ,  G02B 6/12
FI (3件)：
H01S5/10 ,  H01S5/34 ,  G02B6/12 301
Fターム (31件)：
2H147AB04 ,  2H147BF03 ,  2H147BF13 ,  2H147CA11 ,  2H147DA08 ,  2H147EA02B ,  2H147EA12A ,  2H147EA12B ,  2H147EA12C ,  2H147EA14B ,  2H147FA04 ,  2H147FA07 ,  2H147FA15 ,  2H147FC02 ,  2H147FC03 ,  5F173AA26 ,  5F173AB90 ,  5F173AD15 ,  5F173AD30 ,  5F173AF03 ,  5F173AF12 ,  5F173AF20 ,  5F173AH30 ,  5F173AK21 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP42 ,  5F173AR44 ,  5F173AR58 ,  5F173AR94 ,  5F173AR99
引用特許：
審査官引用 (10件)
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