特許
J-GLOBAL ID：201803010900593067
希TMAHを使用してマイクロエレクトロニック基板を処理する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 大貫 進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-524419
公開番号（公開出願番号）：特表2018-534783
出願日： 2016年11月14日
公開日（公表日）： 2018年11月22日
要約：
本発明の態様は、希TMAHによりマイクロエレクトロニック基板を処理するための方法を提供する。前記方法において、マイクロエレクトロニック基板はプロセスチャンバ中へ受容され、マイクロエレクトロニック基板は、シリコンの層、フィーチャまたは構造を有する。処理溶液をマイクロエレクトロニック基板に塗布してシリコンをエッチングし、ここで、処理溶液は、希薄溶液およびTMAHを含む。制御された酸素含有量を、処理溶液中でまたはプロセスチャンバ中の環境中で提供して、処理溶液により、シリコンの標的エッチング選択性、またはシリコンの層、フィーチャまたは構造にわたる標的エッチング均一性、または両方を達成する。
請求項（抜粋）：
マイクロエレクトロニック基板を処理するための方法であって、前記方法は、
マイクロエレクトロニック基板をプロセスチャンバ中へ受容し、マイクロエレクトロニック基板は、シリコンの層、フィーチャまたは構造を含むこと;
処理溶液をマイクロエレクトロニック基板に塗布してシリコンをエッチングし、処理溶液は、希薄溶液およびTMAHを含むこと;および
制御された酸素含有量を、処理溶液中でまたはプロセスチャンバ中の環境中で提供して、処理溶液により、シリコンの標的エッチング選択性、またはシリコンの層、フィーチャまたは構造にわたる標的エッチング均一性、または両方を達成すること、
を含む、方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F043AA10
, 5F043BB03
, 5F043DD02
, 5F043DD07
, 5F043DD15
, 5F043EE08
, 5F043FF02
, 5F043GG10
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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