特許
J-GLOBAL ID：201203027520052158
貫通孔を形成しためっき層付シリコン基板
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (10件)：
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
, 吉田 尚美
, 中村 綾子
, 深川 英里
, 森本 聡二
, 角田 恭子
, 広瀬 幹規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-132905
公開番号（公開出願番号）：特開2011-258803
出願日： 2010年06月10日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：
【解決課題】 複数の微細な貫通孔が存在するシリコン基板において、半導体プロセスに依らない簡素な技術により平坦部のみならず貫通孔内部にも密着性が良好な金属膜を成膜して、高密度実装用途に好適なシリコン基板を提供する。【解決手段】 めっき前処理によりシリコン基板の平坦部と貫通孔内部の清浄シリコン表面を現出させ、ニッケル置換めっき・無電解銅めっき(S4)を順に行うことにより、シリコン基板の全ての貫通孔の内壁全面ならびに主面の全面もしくは一部の面を直接被覆し、密着性に優れ良好な導電性を示す膜を有するめっき層付シリコン基板を作製することができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
貫通孔が2個以上存在するシリコン基板であって、全ての貫通孔の内壁全面ならびに主面の全面もしくは一部の面が、基板側からニッケル膜、銅膜の順で被覆されているめっき層付シリコン基板。
IPC (4件)：
H01L 23/52
, H01L 21/320
, H01L 21/288
, H01L 21/28
H01L21/88 J
, H01L21/288 E
, H01L21/28 301R
4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104DD22
, 4M104DD23
, 4M104DD53
, 4M104HH08
, 4M104HH13
, 5F033JJ07
, 5F033JJ11
, 5F033MM30
, 5F033NN05
, 5F033PP28
, 5F033QQ07
, 5F033QQ13
, 5F033QQ37
, 5F033QQ47
, 5F033QQ48
, 5F033QQ92
, 5F033QQ93
, 5F033QQ94
, 5F033WW00
, 5F033XX02
, 5F033XX13
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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