半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-023886
公開番号（公開出願番号）：特開2018-088550
出願日： 2018年02月14日
公開日（公表日）： 2018年06月07日
要約：

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】半導体材料を含む基板に設けられたチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように設けられた不純物領域と、チャネル形成領域上の第1のゲート絶縁層と、第1のゲート絶縁層上の第1のゲート電極と、不純物領域と電気的に接続する第1のソース電極および第1のドレイン電極と、を有する第1のトランジスタと、半導体材料を含む基板上の第2のゲート電極と、第2のゲート電極上の第2のゲート絶縁層と、第2のゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続する第2のソース電極および第2のドレイン電極と、を有する第2のトランジスタと、を有する半導体装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

前記第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタのゲート電極にソース電極又はドレイン電極の一方が接続され、且つ前記第1のトランジスタの上層に設けられている第2のトランジスタと、を有し、前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体以外の材料を有し、前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L29/78 613Z , H01L29/78 618B , H01L27/088 E , H01L21/90 A , H01L21/90 C

Fターム (182件)：

5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH33 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ21 , 5F033JJ33 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033KK28 , 5F033KK30 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033PP26 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ38 , 5F033QQ48 , 5F033QQ70 , 5F033QQ82 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR22 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX01 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F048AA01 , 5F048AB01 , 5F048AB04 , 5F048AC01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BA20 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB16 , 5F048BB19 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BD04 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BF17 , 5F048BG13 , 5F110AA06 , 5F110AA09 , 5F110BB04 , 5F110BB08 , 5F110BB11 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE15 , 5F110EE32 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF25 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HK40 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL22 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110HM17 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN74 , 5F110NN77 , 5F110NN78 , 5F110PP02 , 5F110PP13 , 5F110QQ02 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-311228 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
高集積強誘電性フローティングゲートRAMを備える半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-004322 出願人：三星電子株式会社
非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325370 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

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