特許
J-GLOBAL ID：201803011788950397
光電変換装置および光電変換装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人あい特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-229142
公開番号（公開出願番号）：特開2014-082319
特許番号：特許第6317877号
出願日： 2012年10月16日
公開日（公表日）： 2014年05月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に、下部電極層を形成する工程と、
前記下部電極層を覆うように、CIGS系の化合物半導体層を形成する工程と、
前記化合物半導体層上に、透明電極層を形成する工程とを含み、
前記化合物半導体層を形成する工程は、InよりもGaを多く供給するGa余剰供給ステップと、Cuを供給するCu供給ステップと、GaよりもInを多く供給するIn余剰供給ステップとを含み、これらのステップを実行することによって、前記化合物半導体層の層厚方向のGaの組成差が最大5%以上となり、前記層厚方向のInの組成差が最大6%以上となるように、前記化合物半導体層を形成する工程を含み、
前記化合物半導体層を形成する工程では、前記下部電極層の形成後、まず前記Ga余剰供給ステップを実行し、その後、前記In余剰供給ステップおよび前記Cu供給ステップをこの順に実行し、前記Cu供給ステップに続いて、さらに、前記In余剰供給ステップおよび前記Ga余剰供給ステップをこの順に実行する、光電変換装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 31/10 ( 200 6.01)
, H01L 31/18 ( 200 6.01)
, H01L 31/0749 ( 201 2.01)
, H01L 27/146 ( 200 6.01)
H01L 31/10 A
, H01L 31/04 420
, H01L 31/06 460
, H01L 27/146 E
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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