特許
J-GLOBAL ID：200903061850348256

光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置

発明者：
宮崎 憲一

宮崎 憲一 について

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松島 理

松島 理 について

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仁木 栄

仁木 栄 について

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櫻井 啓一郎

櫻井 啓一郎 について

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石塚 尚吾

石塚 尚吾 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について

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独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-104052
公開番号（公開出願番号）：特開2009-259872
出願日： 2008年04月11日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】カルコパイライト型半導体を用いた光電変換部に衝突電離による電荷の増倍を発生させ、暗電流特性を改善することにより、低照度でも検出効率を高め、S/N比が高い光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置を提供する。【解決手段】下部電極層25と、下部電極層25上に配置され、表面に高抵抗層242を有するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜24と、化合物半導体薄膜24上に配置された透明電極層26とを備え、下部電極層25、化合物半導体薄膜24および透明電極層26は、順次積層されると共に、透明電極層26と下部電極層25間に逆バイアス電圧を印加して、化合物半導体薄膜24内で光電変換により発生した電荷の衝突電離による増倍を起こさせる光電変換装置およびその製造方法、および光電変換装置を適用した固体撮像装置。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上に形成された回路部と、 前記回路部上に配置された下部電極層と、 前記下部電極層上に配置されたカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜と、 前記化合物半導体薄膜上に配置された透明電極層と を備え、前記下部電極層、前記化合物半導体薄膜、および前記透明電極層は、前記回路部上に順次積層されると共に、前記透明電極層と前記下部電極層間に逆バイアス電圧を印加して、前記カルコパイライト構造の化合物半導体薄膜内で衝突電離により、光電変換により発生した電荷の増倍を起こさせることを特徴とする光電変換装置。
IPC (2件)：
H01L 31/107 ,  H01L 27/146
FI (2件)：
H01L31/10 B ,  H01L27/14 E
Fターム (35件)：
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA15 ,  4M118CA19 ,  4M118CB05 ,  4M118GC08 ,  5F049MA07 ,  5F049MB01 ,  5F049NA01 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049PA06 ,  5F049PA07 ,  5F049PA09 ,  5F049PA18 ,  5F049QA03 ,  5F049QA17 ,  5F049RA04 ,  5F049RA08 ,  5F049SE02 ,  5F049SE03 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SE14 ,  5F049SS02 ,  5F049UA13 ,  5F049UA14 ,  5F049WA01 ,  5F049WA03 ,  5F049WA09
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (10件)
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