特許
J-GLOBAL ID：201803014914934423
素子チップの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
田中 光雄
, 鮫島 睦
, 前堀 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-135232
公開番号（公開出願番号）：特開2018-006677
出願日： 2016年07月07日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：
【課題】プラズマエッチングによる素子チップの製造において、バンプを確実にマスクし、プラズマ処理によるバンプの劣化を防止する。【解決手段】半導体チップ2の製造方法は、バンプ10が露出した表面6Aと、表面6Aの反対側の裏面4Aと、バンプ10が形成された複数の素子領域14と、素子領域14を画定する分割領域16とを備える半導体ウエハ12を準備し、半導体ウエハ12の表面6Aにバンプ10に沿うように、マスク28の原料を含む液体をスプレーコート法により噴霧し、半導体ウエハ12の表面6Aにバンプ10を被覆するとともに前記分割領域を露出させる開口を有するマスク28を形成し、半導体ウエハ12の表面6Aを第1のプラズマに晒して、バンプ10がマスク28によって被覆された状態で、この開口に露出する分割領域16を裏面4Aに達するまでエッチングすることにより、半導体ウエハ12を個片化することを含む。【選択図】図1G
請求項（抜粋）：
金属電極が露出した第1の面と、前記第1の面の反対側の第2の面と、前記金属電極が形成された複数の素子領域と、前記素子領域を画定する分割領域とを備える基板を準備し、
前記基板の前記第1の面に前記金属電極に沿うように、前記金属電極を被覆するとともに前記分割領域を露出させる開口を有するマスクを形成し、
前記基板の前記第1の面を第1のプラズマに晒して、前記金属電極が前記マスクによって被覆された状態で、前記開口に露出する前記分割領域を前記第2の面に達するまでエッチングすることにより、前記基板を個片化する
ことを含む、素子チップの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301
, H01L 21/306
H01L21/78 S
, H01L21/302 105A
5F004BA20
, 5F004CA06
, 5F004DA00
, 5F004DA18
, 5F004DB01
, 5F004EA28
, 5F063AA04
, 5F063BA20
, 5F063BA21
, 5F063CB02
, 5F063CB05
, 5F063CB06
, 5F063CB22
, 5F063CB27
, 5F063CC22
, 5F063CC52
, 5F063DD26
, 5F063DD32
, 5F063DD39
, 5F063DD43
, 5F063DD46
, 5F063DD48
, 5F063DD59
, 5F063DF03
, 5F063DF04
, 5F063DF06
, 5F063DF12
, 5F063DF17
