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特許
J-GLOBAL ID:201803015757392189

光反応装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山川 茂樹 ,  小池 勇三 ,  山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-024024
公開番号(公開出願番号):特開2018-130642
出願日: 2017年02月13日
公開日(公表日): 2018年08月23日
要約:
【課題】半導体ナノワイヤをPEC素子として用いた光反応装置において、太陽光を用いて高い効率で分解や合成などの反応に必要な高い電圧を得ることができるようにする。【解決手段】ナノワイヤ101と、ナノワイヤ101の一端に形成された第1電極102と、ナノワイヤ101の他端に形成された第2電極103とを備える。ナノワイヤ101は、III-V族化合物半導体から構成された第1部分104と、第1部分104に直列に接続されてIII-V族化合物半導体から構成された第2部分105とを備える。第1部分104および第2部分105は、それぞれ、n型層,i型層,p型層によるpin型ダイオード構造を備える。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
III-V族化合物半導体から構成されたpin型ダイオード構造の第1部分と、前記第1部分に直列に接続されてIII-V族化合物半導体から構成されたpin型ダイオード構造の第2部分とを備えるナノワイヤと、 前記ナノワイヤの一端に形成されて酸化反応を促進する触媒材料から構成された第1電極と、 前記ナノワイヤの他端に形成されて還元反応を促進する触媒材料から構成された第2電極と を備え、 前記pin型ダイオード構造のi型の半導体のバンドギャップエネルギーは、太陽光の可視域および赤外域のいずれかの波長に対応していることを特徴とする光反応装置。
IPC (8件):
B01J 35/02 ,  C02F 1/461 ,  B01J 19/12 ,  B01J 27/14 ,  H01L 31/035 ,  B82Y 30/00 ,  H01L 29/06 ,  C25B 9/00
FI (9件):
B01J35/02 J ,  C02F1/46 101Z ,  B01J19/12 C ,  B01J35/02 H ,  B01J27/14 M ,  H01L31/04 342B ,  B82Y30/00 ,  H01L29/06 601N ,  C25B9/00 A
Fターム (64件):
4D061DA03 ,  4D061DB20 ,  4D061EA03 ,  4D061EA04 ,  4D061EB20 ,  4D061EB22 ,  4D061EB30 ,  4D061EB31 ,  4D061ED17 ,  4G075AA15 ,  4G075BA04 ,  4G075BA05 ,  4G075CA20 ,  4G075CA32 ,  4G075DA02 ,  4G075EC21 ,  4G075EE04 ,  4G075EE32 ,  4G075FA02 ,  4G075FA12 ,  4G075FC01 ,  4G075FC13 ,  4G169AA02 ,  4G169BA48A ,  4G169BB02B ,  4G169BB04B ,  4G169BB13B ,  4G169BC17B ,  4G169BC70B ,  4G169BC75B ,  4G169CC33 ,  4G169DA05 ,  4G169EA03X ,  4G169EA03Y ,  4G169EB19 ,  4G169FB03 ,  4G169HA02 ,  4G169HA14 ,  4G169HB10 ,  4G169HC13 ,  4G169HD14 ,  4G169HE09 ,  4G169HE10 ,  4K021AA01 ,  4K021AC02 ,  4K021AC04 ,  4K021BA02 ,  4K021DB07 ,  4K021DB10 ,  4K021DB11 ,  4K021DB12 ,  4K021DB18 ,  4K021DB31 ,  4K021DB43 ,  4K021DB53 ,  4K021DC03 ,  5F151AA08 ,  5F151CB12 ,  5F151CB14 ,  5F151DA04 ,  5F151DA15 ,  5F151FA01 ,  5F151FA06 ,  5F151GA04
引用特許:
審査官引用 (4件)
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