特許
J-GLOBAL ID：201803019011237248

半導体装置

発明者：
佐々木 俊成

佐々木 俊成 について

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野田 耕生

野田 耕生 について

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佐藤 裕平

佐藤 裕平 について

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遠藤 佑太

遠藤 佑太 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-120712
公開番号（公開出願番号）：特開2018-160692
出願日： 2018年06月26日
公開日（公表日）： 2018年10月11日
要約：
【課題】酸化物半導体膜の水素濃度および酸素欠損を低減する。また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】下地絶縁膜と下地絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜に重畳して設けられたゲート電極と、を有し、下地絶縁膜は、電子スピン共鳴にてg値が2.01で信号を表し、酸化物半導体膜は、電子スピン共鳴にてg値が1.93で信号を表さない半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、 前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、それぞれ、 第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上の酸化物層と、 前記酸化物層上のソース電極及びドレイン電極と、 前記酸化物層は、前記ソース電極と重畳する第1の領域と、前記ドレイン電極と重畳する第2の領域と、を有し、 前記酸化物層は、第2の絶縁層を介してゲート電極層と重畳する第3の領域を有し、 前記第3の領域は、前記第1の領域と前記第2の領域との間にある領域を有し、 前記第1のトランジスタの前記酸化物層と、前記第2のトランジスタの前記酸化物層は、分離されていない、ことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L29/78 616S ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 621
Fターム (63件)：
5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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