特許
J-GLOBAL ID：201803019486404920
エピタキシャルウェーハ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
鷲頭 光宏
, 緒方 和文
, 黒瀬 泰之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-223858
特許番号：特許第6256576号
出願日： 2016年11月17日
要約：
【課題】エッジ領域におけるエピタキシャル層の平坦度を高める。
【解決手段】本発明によるエピタキシャルウェーハ1は、おもて面23及び裏面24を有し、おもて面23のエッジ領域21に周期的な凹凸が周方向に形成されたシリコンウェーハ2と、シリコンウェーハ2のおもて面23に形成されたエピタキシャル層3とを備える。エピタキシャル層3は、シリコンウェーハ2のおもて面23の凹凸に対して相補的な膜厚を有している。本発明によれば、成長速度方位依存性によって生じるエピタキシャル層3の凹凸が相殺されるため、エピタキシャル層3の表面の平坦度がエッジ領域21に亘って高められる。
【選択図】図5
請求項（抜粋）：
【請求項1】 おもて面及び裏面を有し、外周端にベベル領域を有し、前記おもて面のエッジ領域に周期的な凹凸が周方向に形成されたシリコンウェーハと、
前記シリコンウェーハの前記おもて面に形成されたエピタキシャル層と、を備え、
前記エピタキシャル層は、前記シリコンウェーハの前記おもて面の前記凹凸に対して相補的な膜厚を有していることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C23C 16/02 ( 200 6.01)
, C23C 16/24 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, C23C 16/02
, C23C 16/24
