特許
J-GLOBAL ID：201803019687345809
装置様散乱測定法のオーバーレイターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-520463
特許番号：特許第6305399号
出願日： 2013年06月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板の2つ以上の連続層間または基板の単一層上の2つ以上の別々に生成されたパターン間のオーバーレイ誤差を検出するための半導体ターゲットであって、
検査ツールによって分解可能なコースピッチを有する複数の第1の格子構造と、
前記第1の格子構造に対して位置する複数の第2の格子構造であって、前記第2の格子構造が前記コースピッチより小さい微細ピッチを有し、前記第1および第2の格子構造が両方とも基板の2つ以上の連続層内または基板の単一層上の2つ以上の別々に生成されたパターンの間に形成される、第2の格子構造と、を含み、
前記第1および第2の格子構造が複数の異なる限界寸法(CD)値を有し、
前記第1の格子構造が線幅および間隔幅についてのCD値の第1の集合を有し、前記第2の格子構造が前記CD値の第1の集合とは異なる線幅および間隔幅についてのCD値の第2の集合を有し、
前記第1および第2の格子が両方とも第1の層および前記第1の層とは異なる第2の層内で形成され、前記CD値の第1および第2の集合が、散乱測定検査工程中に、前記第1および第2の両方の層内の、前記第1および第2の格子から測定される信号の振幅を均一にするために選択されるCD値の部分集合を含む、
ターゲット。
IPC (4件)：
G03F 7/20 ( 200 6.01)
, G03F 9/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/66 ( 200 6.01)
, G01N 21/956 ( 200 6.01)
G03F 7/20 521
, G03F 9/00 H
, H01L 21/66 F
, G01N 21/956 A
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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