インスペクション方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セル、ならびにデバイス製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 大賀眞司 , 大貫敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-148757
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311645
出願日： 2008年06月06日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】スキャトロメトリターゲットを提供すること、およびターゲットの回折格子のサイズが低減するのを可能にするが、回折格子のピッチが測定放射ビームの波長よりも小さい場合に、より高次の回折次数を損なわないターゲットの製作方法を提供すること。【解決手段】n個ごとに1個の構造が構造の残りとは異なる、構造の周期的なアレイを含む、基板上のオーバーレイターゲットが開示される。周期的なアレイは、望ましくは、交錯した2つの回折格子から形成され、アレイ内に非対称性を形成するために、それらの回折格子の一方が他方の回折格子とは異なるピッチを有する。次いで、この非対称性を、オーバーレイターゲットから反射された放射の回折スペクトルを測定することによって測定することができる。非対称性のばらつきが、連続する層上にオーバーレイターゲットがプリントされる基板上の層内に、オーバーレイエラーがあることを示す。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

n個ごとに1個の構造が構造の残りとは異なり、ただしnが少なくとも2である、前記構造の周期的なアレイを備えたオーバーレイターゲットを有する基板。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G01B 11/00

FI (4件)：

H01L21/30 522 , H01L21/30 525R , H01L21/30 502V , G01B11/00 G

Fターム (26件)：

2F065AA03 , 2F065AA20 , 2F065AA21 , 2F065AA51 , 2F065BB01 , 2F065BB25 , 2F065CC20 , 2F065FF04 , 2F065FF41 , 2F065FF48 , 2F065FF51 , 2F065GG24 , 2F065HH12 , 2F065HH13 , 2F065JJ03 , 2F065JJ26 , 2F065LL03 , 2F065LL22 , 2F065LL33 , 2F065LL42 , 2F065PP12 , 5F046EA07 , 5F046ED01 , 5F046FA06 , 5F046FB13 , 5F046FB20

引用特許：

審査官引用 (10件)

マーク、アライメントマーク、合わせずれ測定用マーク、フォトマスク、及び、半導体ウェーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-271331 出願人：株式会社東芝
周期パターンおよびずれを制御するための技術
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-581921 出願人：ケーエルエー-テンカーコーポレイション
重ね合わせ測定方法、テストマークおよび非像化測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-173761 出願人：株式会社ニコン

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