特許
J-GLOBAL ID:201803019788568230

試験方法、試験サンプル、試験システム、評価方法、評価システム、及び評価プログラム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 龍華国際特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-071931
公開番号(公開出願番号):特開2018-173357
出願日: 2017年03月31日
公開日(公表日): 2018年11月08日
要約:
【課題】短い試験期間で半導体モジュールの信頼性を評価する。【解決手段】試験方法は、ヒートサイクル試験(H/C試験)において接合材により絶縁基板が金属ベースに接合された半導体モジュールに生じる変形に応じた応力、ひずみ等の変化を半導体モジュールに生じさせる機械的負荷を決定する決定段階、接合材に対応するサンプル接合材料を含む試験サンプルに対して機械的負荷を与える機械疲労試験を行う試験段階、機械疲労試験の結果よりH/C試験による半導体モジュールに対するH/C寿命曲線を推定することで、導体モジュールの信頼性を評価する評価段階を備える。これにより、試験期間を短縮することができる。【選択図】図15
請求項(抜粋):
信頼性試験において基体に接合材料を接合した評価対象物に生じる変形に応じた変化を前記評価対象物に生じさせる機械的負荷を決定する決定段階と、 前記接合材料に対応するサンプル接合材料を含む試験サンプルに対して前記機械的負荷を含む負荷を与える試験段階と、 を備える試験方法。
IPC (2件):
G01N 3/34 ,  G01N 3/60
FI (2件):
G01N3/34 C ,  G01N3/60 B
Fターム (9件):
2G061AA07 ,  2G061AB05 ,  2G061AC03 ,  2G061BA15 ,  2G061CB17 ,  2G061EA01 ,  2G061EA04 ,  2G061EB04 ,  2G061EB07
引用特許:
審査官引用 (12件)
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