特許
J-GLOBAL ID：201803021025630761
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-104226
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232559
特許番号：特許第6253133号
出願日： 2012年04月27日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 結晶型が4H-SiCの炭化珪素基板の第一の主面にエピタキシャル層を成長させる工程と、
前記炭化珪素基板の前記エピタキシャル層とは反対側の第二の主面に金属膜を形成する工程と、
前記第二の主面に金属膜を形成する工程の前に、前記第二の主面にイオン種濃度1×1018atms/cm3〜1×1020atms/cm3でイオン注入を行い活性化させる工程と、
1500°C〜1800°Cの活性化熱処理を行い、3C-SiCと4H-SiCの混晶状態を形成させる工程と、を含み、
前記イオン注入は窒素がドーピングされた前記炭化珪素基板に、リンを加熱を行わずに500nmまでボックスプロファイルの濃度となるよう30keV〜350keVの範囲で全面に注入し、前記炭化珪素基板の前記第二の主面と、当該第二の主面にオーミック電極として形成される前記金属膜の間に、前記炭化珪素基板よりバンドギャップの小さい3C-SiCを含む層が熱処理により形成されるオーミック電極形成によってオーミック電極と合金化され、合金化されずに残る3C-SiCと4H-SiCの混晶状態の層が50nm〜200nmである、
ことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/47 ( 200 6.01)
, H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 21/329 ( 200 6.01)
H01L 21/28 A
, H01L 29/48 D
, H01L 29/48 P
