特許
J-GLOBAL ID:201803021162657235
MIS型半導体装置およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-093745
公開番号(公開出願番号):特開2018-190876
出願日: 2017年05月10日
公開日(公表日): 2018年11月29日
要約:
【課題】絶縁膜の誘電率が高く、半導体と絶縁膜の間に中間層を形成しにくいMIS型半導体装置を提供する。【解決手段】半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、絶縁体層が半導体層と導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、半導体層はGaNを含み、絶縁体層はランタンフッ化物を含むMIS型半導体装置。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、
前記半導体層はGaN、ZnS、β-Ga2O3、C、AlNの群から選ばれる少なくとも1以上の半導体を含み、
前記絶縁体層はランタンフッ化物を含む、MIS型半導体装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L29/78 301B
, H01L29/78 301G
Fターム (27件):
5F140AA25
, 5F140BA00
, 5F140BA01
, 5F140BA06
, 5F140BA10
, 5F140BB04
, 5F140BD04
, 5F140BE09
, 5F140BE17
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF05
, 5F140BF06
, 5F140BF07
, 5F140BF08
, 5F140BF10
, 5F140BG36
, 5F140BG38
, 5F140BG44
, 5F140BG58
, 5F140BH30
, 5F140BJ01
, 5F140BJ04
, 5F140BJ05
, 5F140BJ06
, 5F140BJ08
, 5F140BJ10
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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