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J-GLOBAL ID：201902217151114768   整理番号：19A0491300

150mm Si(111)基板上のGaNの応力制御におけるAlN挿入層の役割について【JST・京大機械翻訳】

On the Role of AlN Insertion Layer in Stress Control of GaN on 150-mm Si (111) Substrate

著者 (8件)： Lin Po-Jung (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan) ,  Lin Po-Jung (Hermes-Epitek Corporation, Hisinchu 30077, Taiwan) ,  Tien Ching-Ho (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan) ,  Wang Tzu-Yu (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan) ,  Chen Che-Lin (Hermes-Epitek Corporation, Hisinchu 30077, Taiwan) ,  Ou Sin-Liang (Department of Materials Science and Engineering, Da-Yeh University, Changhua 51591, Taiwan) ,  Chung Bu-Chin (Hermes-Epitek Corporation, Hisinchu 30077, Taiwan) ,  Wuu Dong-Sing (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan)
資料名： Crystals (Web)  (Crystals (Web))
巻： 7  号： 5  ページ： 134  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7169A  ISSN： 2073-4352  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,680および970°Cで成長させた低温(LT)および高温(HT)AlN挿入層(IL)を,有機金属化学蒸着により150mmのSi(111)基板上に成長させた3.7μmのGaNベースのヘテロ構造と集積した。1960のV/III流量比の下で,LT AlN ILから生じる連続界面を有するGaNエピ層は,-0.109GPaの圧縮応力を受けた。しかし,同じ流量比でのHT AlN IL成長から生じる不連続界面を持つGaNエピ層は,0.174GPaの引張応力を受けた。GaNエピ層とHT AlN ILの間の連続界面を実現するために,5960のより高いV/III比を用いて,GaNの分解を抑制した。それは,GaN系ヘテロ構造の応力状態を引張から圧縮に変化させる。この戦略的発見は,Si上の応力制御可能なGaNがHT AlN ILの組込みにより達成できることを示している。150mmのSi(111)基板上の3.7μmのGaN系ヘテロ構造に対して,5km-1の最小曲率を実証した。これは,パワースイッチング素子応用に対して高い可能性を有する。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  低温 ,  不連続性 ,  界面 ,  *窒化アルミニウム ,  MOCVD ,  *窒化ガリウム ,  引張 ,  引張応力 ,  *基板 ,  曲率 ,  高温
準シソーラス用語： エピタキシャル層 ,  ヘテロ構造 ,  *シリコン(111) , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaN ,  Si基板 ,  AlN ,  ストレス ,  有機金属化学蒸着

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (20件)：

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• Yano, Y.; Tokunaga, H.; Shimamur, H.; Yamaoka, Y.; Ubukata, A.; Tabuchi, T.; Matsumoto, K. Control of thickness and composition variation of AlGaN/GaN on 6-and 8-in substrates using multiwafer high-growth-rate organic chemical vapor deposition tool. Jpn. J. Appl. Phys. 2013, 52, 08JB06.
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• Feltin, E.; Beaumont, B.; Laügt, M.; Mierry, P.; Vennéguès, P.; Lahrèche, H.; Leroux, M.; Gibart, P. Stress control in GaN grown on silicon (111) by metalorganic vapor phase epitaxy. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 3230-3232.
• Frayssinet, E.; Cordier, Y.; Schenk, H.P.D.; Bavard, A. Growth of thick GaN layers on 4-in. and 6-in. silicon (111) by metal-organic vapor phase epitaxy. Phys. Status Solidi C 2011, 8, 1479-1482.

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  GaN ,  AlN ,  役割