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J-GLOBAL ID：201902226157042182   整理番号：19A1796890

ナノスケール規模の製造のためのドライプロセスの進捗と展望:微細パターン転写と高アスペクト比形成

Progress and perspectives in dry processes for nanoscale feature fabrication: fine pattern transfer and high-aspect-ratio feature formation

著者 (20件)： IWASE Taku (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAMAJI Yoshito (Hitachi High-Technol., Corp., Yamaguchi, JPN) ,  KANG Song Yun (Tokyo Electron Ltd., Tokyo, JPN) ,  KOGA Kazunori (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KUBOI Nobuyuki (Sony Semiconductor Solutions Corp., Kanagawa, JPN) ,  NAKAMURA Moritaka (MAMO Aoba, Kanagawa, JPN) ,  NEGISHI Nobuyuki (Hitachi, Ltd., Ibaraki, JPN) ,  NOZAKI Tomohiro (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  NUNOMURA Shota (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  OGAWA Daisuke (Chubu Univ., Aichi, JPN) ,  OMURA Mitsuhiro (Toshiba Memory Corp., Mie, JPN) ,  SHIMIZU Tetsuji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SHINODA Kazunori (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  SONODA Yasushi (Hitachi High-Technol., Corp., Yamaguchi, JPN) ,  SUZUKI Haruka (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKAHASHI Kazuo (Kyoto Inst. of Technol., Kyoto, JPN) ,  TSUTSUMI Takayoshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YOSHIKAWA Kenichi (Toshiba Memory Corp., Mie, JPN) ,  ISHIJIMA Tatsuo (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  ISHIKAWA Kenji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SE  ページ： SE0802.1-SE0802.24  発行年： 2019年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *規模 ,  *半導体プロセス ,  *乾式法 ,  パターン転写 ,  アスペクト比 ,  RIE【エッチング】 ,  トレンチカット【加工】 ,  側壁 ,  X線光電子分光法 ,  原子層エピタクシー
準シソーラス用語： *ナノスケール ,  *半導体製造プロセス ,  *ドライプロセス ,  高アスペクト比 ,  サイドウォール ,  ALE【エピタクシー】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (179件)：

• In Gartner report of “Market share analysis: semiconductor worldwide, 2017,” (2018).
• S. Tachi, J. Vac. Sci. Technol. A 21, S131 (2003).
• H. Abe, M. Yoneda, and N. Fujiwara, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 1435 (2008).
• K. Eriguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 56, 06HA01 (2017).
• K. Ishikawa, K. Karahashi, T. Ichiki, J. P. Chang, S. M. George, W. M. M. Kessels, H. J. Lee, S. Tinck, J. H. Um, and K. Kinoshita, Jpn. J. Appl. Phys. 56, 06HA02 (2017).

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノスケール ,  規模 ,  ドライプロセス ,  展望 ,  微細パターン ,  転写 ,  高アスペクト比