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J-GLOBAL ID：201902232179834037   整理番号：19A0488896

Ammoniaを組み込んだテトラメチルシランベースPECVDにより調製した酸化ケイ素膜のガス障壁特性に及ぼす影響【JST・京大機械翻訳】

Impact on the Gas Barrier Property of Silicon Oxide Films Prepared by Tetramethylsilane-Based PECVD Incorporating with Ammonia

著者 (6件)： Liu Hua-Wen (Institute of Electro-Optical and Materials Science, National Formosa University, Yunlin 63201, Taiwan) ,  Chen Tai-Hong (Industrial Technology Research Institute, Liujia, Tainan 734, Taiwan) ,  Chang Chun-Hao (Industrial Technology Research Institute, Liujia, Tainan 734, Taiwan) ,  Lu Shao-Kai (Institute of Electro-Optical and Materials Science, National Formosa University, Yunlin 63201, Taiwan) ,  Lin Yi-Cyuan (Institute of Electro-Optical and Materials Science, National Formosa University, Yunlin 63201, Taiwan) ,  Liu Day-Shan (Institute of Electro-Optical and Materials Science, National Formosa University, Yunlin 63201, Taiwan)
資料名： Applied Sciences (Web)  (Applied Sciences (Web))
巻： 7  号： 1  ページ： 56  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7135A  ISSN： 2076-3417  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テトラメチルシラン(TMS)-酸素ガス混合物を用いてプラズマ増強化学蒸着から合成した酸化ケイ素(SiOx)膜のガスバリヤ性をグロー放電中にアンモニアガスを導入することにより改質した。アンモニアガス取り込みによるグロー放電の変化を,発光分光計(OES)によりモニターした。得られた膜の構造,化学結合配置および材料特性を調べた。TMS-酸素プラズマ中に導入されたアンモニアガスは,OHおよび酸素関連ラジカルの抑制を伴うN2およびCN種によって支配される発光線をもたらし,それによって蒸着膜中に窒素および炭素原子を導入した。窒化けい素(SiOxNy)膜は最良の表面形態を有し,アンモニアと酸素の反応物ガス流量比を制御することにより,最低の残留内部応力を達成した。ポリエチレンテレフタレート(PET)基板上に堆積した酸化ケイ素膜(~1.65g/m2/日)の水蒸気透過に対する障壁特性は,適切なTMS-酸素-アンモニア混合物から合成した膜に対して0.06g/m2/日に大きく改善された。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 内部応力 ,  グロー放電 ,  窒素 ,  *酸化ケイ素 ,  *プラズマCVD ,  化学結合 ,  窒化ケイ素 ,  基板 ,  発光 ,  酸素 ,  蒸着膜 ,  混合気体 ,  アンモニア
準シソーラス用語： 表面形態 ,  Ammonia , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸化ケイ素 ,  ガスバリア ,  発光分光計 ,  窒化ケイ素 ,  TMS-酸素-アンモニアガス混合物

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

引用文献 (40件)：

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• Cui, J.; Grant, N.; Lennon, A. Effective surface passivation of p-type crystalline silicon with silicon oxides formed by light-induced anodisation. Appl. Surf. Sci. 2014, 323, 40-44.
• Cataldo, G.; Wollack, E.J.; Brown, A.D.; Miller, K.H. Infrared dielectric properties of low-stress silicon oxide. Opt. Lett. 2016, 41, 1364-1367.
• Jang, G.; Lee, S.J.; Kim, Y.C.; Lee, S.H.; Biswas, P.; Lee, W.; Myoung, J.M. Device characteristics of amorphous indium-gallium-zinc-oxide channel capped with silicon oxide passivation layers. Mater. Sci. Semicond. Process. 2016, 49, 34-39.
• Wu, C.Y.; Chen, W.C.; Liu, D.S. Surface modification layer deposition on flexible substrates by plasma-enhanced chemical vapour deposition using tetramethylsilane-oxygen gas mixture. J. Phys. D Appl. Phys. 2008, 41, 225305.

タイトルに関連する用語 (5件)： テトラメチルシラン ,  PECVD ,  調製 ,  酸化ケイ素膜 ,  障壁