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J-GLOBAL ID：201902242666899875   整理番号：19A1616983

高濃度in-situ Sbドーピングおよびニッケル錫ゲルマニウム合金化によるn型Ge_1-xSn_xの超低抵抗コンタクト

Ultra-low resistance contact for n-type Ge_1-xSn_x with in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation

著者 (7件)： JEON Jihee (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SUZUKI Akihiro (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SUZUKI Akihiro (SUMCO corp., Imari, JPN) ,  SHIBAYAMA Shigehisa (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA Shigeaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA Shigeaki (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  NAKATSUKA Osamu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 119  号： 96(SDM2019 25-35)  ページ： 5-9  発行年： 2019年06月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ゲルマニウム化合物 ,  *スズ化合物 ,  *アンチモン ,  *ドーピング ,  ニッケル合金 ,  スズ合金 ,  ゲルマニウム合金 ,  *接触抵抗 ,  キャリア移動度 ,  CMOS ,  チャネル ,  焼なまし ,  濃度
準シソーラス用語： CMOSFET ,  アニーリング処理 ,  電子濃度

分類 (1件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H)

引用文献 (33件)：

• K.L. Low, Y. Yang, G. Han, W. Fan and Y-C. Yeo, Electronic band structure and effective mass parameters of Ge_1-xSn_x alloys, J. Appl. Phys., vol.112, no.10, 103715 Oct. 2012
• International Technology Roadmap for Semiconductors 2012
• J-Y.J. Lin, A.M. Roy, and K.C. Saraswat, Reduction in Specific Contact Resistivity to n⁺Ge Using TiO₂ Interfacial Layer, IEEE Elec. Dev. Lett., vol.33, no.11, pp.1541-1543, Nov. 2012
• S. Dev, N. Remesh, Y. Rawal, P.P. Manik, B. Wood, and S. Lodha, Low resistivity contact on n-type Ge using low work function Yb with a thin TiO₂ interfacial layer, Appl. Phys. Lett., vol.108, no.10, 103507 Mar. 2016
• P.P. Manik, R.K. Mishra, V.P. Kishore, P. Ray, A. Nainani, Y-C. Huang, M.C. Abraham, U. Ganguly, and S. Lodha, Fermi level unpinning and low resistivity in contacts to n-type Ge with a thin ZnO interfacial layer, Appl. Phys. Lett., vol.101, no.18, 182105 Nov. 2012

タイトルに関連する用語 (8件)： 高濃度 ,  Sb ,  ドーピング ,  ニッケル ,  錫 ,  ゲルマニウム合金 ,  低抵抗 ,  コンタクト