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J-GLOBAL ID：201902279943294795   整理番号：19A2306695

窒素ガス添加による高圧水素ベースプラズマの銅ドライエッチング特性の顕著な改善【JST・京大機械翻訳】

Significant Improvement of Copper Dry Etching Property of a High-Pressure Hydrogen-Based Plasma by Nitrogen Gas Addition

著者 (8件)： Ohmi Hiromasa (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University) ,  Ohmi Hiromasa (Research Center for Ultra-Precision Science and Technology, Osaka University) ,  Sato Jumpei (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University) ,  Shirasu Yoshiki (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University) ,  Hirano Tatsuya (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University) ,  Kakiuchi Hiroaki (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University) ,  Yasutake Kiyoshi (Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University) ,  Yasutake Kiyoshi (Research Center for Ultra-Precision Science and Technology, Osaka University)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 4  号： 2  ページ： 4360-4366  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 13.3kPa(100Torr)で発生した水素ベースのプラズマを用いた銅(Cu)等方性ドライエッチングの特性は,プロセス雰囲気中に適度の量のN_2ガスを簡単に導入することにより劇的に改善された。0.9のH_2混合比(C_H2)と70Wの入力パワーでの窒素添加により,2.4μm/minの最大Cuエッチング速度を得た。最適N_2添加プラズマのエッチング速度は,純粋なH_2プラズマのそれより8倍高かった。Cuエッチ速度は入力パワーの増加と共に増加した。最大エッチ速度は100Wの入力パワーと0.9のC_H2で3.1μm/minに達した。エッチングした銅の表面粗さは,最適N_2添加の結果として減少した。さらに,N_2添加は,選択率が190に達したように,CuとSiO_2の間のエッチング選択性を改善した。最後に,電気めっきCu層によるトレンチパターン化Siウエハの選択エッチングを実証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  混合比 ,  *銅 ,  *水素 ,  パターン形成 ,  電気めっき ,  *プラズマ
準シソーラス用語： 選択エッチング ,  シリコンウエハ ,  トレンチ ,  選択率 ,  エッチング速度 ,  窒素ドーピング ,  エッチング特性 ,  *窒素ガス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  重縮合  (CG04050Z) ,  多糖類  (CF10054P) ,  核酸一般  (EB04010U) ,  プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素ガス ,  高圧水素 ,  プラズマ ,  銅 ,  エッチング特性