文献
J-GLOBAL ID：201902280930404982
整理番号：19A1616361
国際宇宙ステーションを利用した均一組成SiGe結晶の育成(2)Traveling Liquidus Zone(TLZ)法による育成実験と微小重力効果
Compositionally Uniform SiGe Crystal Growth aboard the International Space Station (2) Growth Experiments by the TLZ Method and Microgravity Effects
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著者 (5件)：
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資料名：
巻：
34
号：
1
ページ：
ROMBUNNO.340113 (WEB ONLY)
発行年：
2017年01月31日
JST資料番号：
U1608A
ISSN：
2188-9783
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
解説
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長
引用文献 (25件)：
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K. Kinoshita, Y. Arai, Y. Inatomi, T. Tsukada, S. Adachi, H. Miyata, R. Tanaka,J. Yoshikawa, T. Kihara, H.Tomioka,H. Shibayama, Y. Kubota,Y. Warashina, Y. Sasaki, Y. Ishizuka,Y. Harada, S. Wada, C. Harada, T. Ito, M. Takayanagi and S. Yoda:J. Crystal Growth,388(2014) 12.
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K. Kinoshita, Y. Arai, T. Tsukada, Y. Inatomi,H. Miyata and R. Tanaka:J. Crystal Growth, 417(2015)31.
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K. Kinoshita, Y. Arai, Y. Inatomi, T. Tsukada, H. Miyata, R. Tanaka, J. Yoshikawa, T. Kihara, H. Tomioka, H. Shibayama, Y. Kubota, Y. Warashina, Y. Ishizuka, Y. Harada, S. Wada, T. Ito, N. Nagai, K. Abe, S. Sumioka, M. Takayanagi and S. Yoda:J. Crystal Growth,419(2015)47.
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K. Kinoshita, Y. Arai, Y. Inatomi, T. Tsukada, H. Miyata and R. Tanaka: J.Crystal Growth, 455(2016) 49.
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K. Abe, S. Sumioka, K. Sugioka, M. Kubo, T. Tsukada, K.Kinoshita, Y. Arai and Y. Inatomi:J. Crystal Growth,402 (2014) 71.
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