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J-GLOBAL ID：201902286245361525   整理番号：19A2304306

WSe_2電界効果トランジスタにモノリシックに集積したVO_2におけるゲート調整可能な熱的金属-絶縁体転移【JST・京大機械翻訳】

Gate-Tunable Thermal Metal-Insulator Transition in VO₂ Monolithically Integrated into a WSe₂ Field-Effect Transistor

著者 (10件)： Yamamoto Mahito (Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan) ,  Nouchi Ryo (Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Osaka, Japan) ,  Nouchi Ryo (JST PRESTO, Saitama, Japan) ,  Kanki Teruo (Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan) ,  Hattori Azusa N. (Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan) ,  Hattori Azusa N. (JST PRESTO, Saitama, Japan) ,  Watanabe Kenji (National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan) ,  Taniguchi Takashi (National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan) ,  Ueno Keiji (Department of Chemistry, Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Japan) ,  Tanaka Hidekazu (Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 11  号： 3  ページ： 3224-3230  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二酸化バナジウム(VO_2)は,室温付近で急激な金属-絶縁体転移(MIT)を受けるので,スイッチングとセンシングデバイスの構築ブロックとして有望である。VO_2の多目的応用に対する挑戦は,電界効果素子幾何学におけるゲーティングによりMITを制御することである。ここでは,van der Waals積層により二次元(2D)二セレン化タングステン(WSe_2)半導体とモノリシックに集積されたVO_2マイクロワイヤに基づくゲート調整可能な急峻なスイッチング素子を実証した。ドレイン接触としてVO_2ワイヤ,ソース接触としてチタン,ゲート誘電体として六方晶窒化ホウ素を用いて,WSe_2トランジスタを作製した。WSe_2トランジスタは両極性輸送を示し,電子ブランチでより高い伝導率を示した。電子電流はVO_2のMITの臨界温度以下でゲート電圧と共に連続的に増加した。臨界温度近傍で,電流は与えられたゲート電圧で急激で不連続なジャンプを示し,接触VO_2中のMITがゲート媒介自己加熱により熱的に誘起されることを示した。著者らの結果は,2D半導体のvan der Waals積層によるVO_2ベースのゲート調整可能デバイスの開発の道を開き,電子およびフォトニック応用の大きな可能性を有する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 金属線 ,  電流 ,  *トランジスタ ,  臨界温度 ,  検出器 ,  半導体 ,  ゲート絶縁膜 ,  スイッチング ,  *FET【トランジスタ】 ,  二次元 ,  不連続性 ,  チタン
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  セレン化タングステン ,  ゲーティング , 【Automatic Indexing@JST】

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電界効果トランジスタ ,  集積 ,  ゲート ,  金属-絶縁体転移