グラフェンおよびマグネトロンスパッタリングされた窒化アルミニウム上での窒化ガリウム成長方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：永井浩之 , 中村行孝 , 佐藤泰和 , 朝倉悟 , 浅野真理 , 反町洋 , 前川英明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-566624
公開番号（公開出願番号）：特表2019-514228
出願日： 2016年09月28日
公開日（公表日）： 2019年05月30日
要約：

本発明は、グラフェンおよびマグネトロンスパッタリングされた窒化アルミニウム上に窒化ガリウムを成長させる方法、および、窒化ガリウム薄膜を開示する。この方法の一態様は、基板上にグラフェンを敷き詰め、グラフェンに覆われた基板上に窒化アルミニウムをマグネトロンスパッタリングして、窒化アルミニウムがスパッタリングされた基板を得、その窒化アルミニウムがスパッタリングされた基板をMOCVD反応チャンバー内に置き、基板を熱処理して熱処理基板を得、その熱処理基板上で窒化アルミニウム転移層を成長させ、異なるV-III比を有する第一および第二の窒化ガリウム層を成長させることを含んでいる。また、窒化ガリウム薄膜の一態様は、底部から頂部に向かって順に:基板(1)、グラフェン層(2)、マグネトロンスパッタリング法によって形成された窒化アルミニウム核形成層(3)、MOCVDによって形成された窒化アルミニウム転移層(4)、および、異なるV-III比を有する第一および第二の窒化ガリウム層(5,6)を有している。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウムの成長方法であって、基板上にグラフェンを敷き詰め、グラフェンに覆われた基板上に窒化アルミニウムをマグネトロンスパッタリングして、窒化アルミニウムがスパッタリングされた基板を得、その窒化アルミニウムがスパッタリングされた基板を有機金属化学気相成長(MOCVD)反応チャンバー内に置き、基板を熱処理して熱処理基板を得、その熱処理基板上に第一の窒化ガリウム層および第二の窒化ガリウム層をそれぞれ、第一の窒化ガリウム層のV-III比が第二の窒化ガリウム層のV-III比と異なっているように成長させることを含むこと特徴とする、窒化ガリウムの成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 , H01L 21/205 , C23C 16/34 , C23C 14/06

FI (4件)：

H01L21/203 S , H01L21/205 , C23C16/34 , C23C14/06 B

Fターム (42件)：

4K029AA02 , 4K029AA06 , 4K029AA07 , 4K029AA24 , 4K029BA58 , 4K029CA06 , 4K029DC39 , 4K029FA01 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA02 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030DA02 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030HA04 , 4K030JA01 , 4K030JA05 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AD14 , 5F045AE23 , 5F045AF03 , 5F045DA53 , 5F045DA57 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD01 , 5F103HH03 , 5F103HH04 , 5F103HH05 , 5F103PP15 , 5F103PP20 , 5F103RR04 , 5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (6件)

窒化物半導体層の剥離方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-148455 出願人：株式会社沖データ, 株式会社沖デジタルイメージング
窒化物半導体素子、窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体層の製造方法および窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-134988 出願人：シャープ株式会社
光半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-219910 出願人：独立行政法人理化学研究所, 国立大学法人埼玉大学

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Fabrication of full-color InGaN-based light-emitting diodes on amorphous substrates by pulsed sputte

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