基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-181792
公開番号（公開出願番号）：特開2019-080049
出願日： 2018年09月27日
公開日（公表日）： 2019年05月23日
要約：

【課題】エッチング処理時間を短縮する基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体を提供する。【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、基板処理槽と、混合部と、供給ラインとを備える。基板処理槽は、エッチング液によってエッチング処理を行う。混合部は、新液と、シリコン含有化合物またはシリコン含有化合物を含む液体とを混合する。供給ラインは、混合部によって混合した混合液を基板処理槽に供給する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

エッチング液によってエッチング処理を行う基板処理槽と、新液と、シリコン含有化合物またはシリコン含有化合物を含む液体とを混合する混合部と、前記混合部によって混合した混合液を前記基板処理槽に供給する供給ラインとを備える基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , H01L 21/304

FI (4件)：

H01L21/306 E , H01L21/304 647Z , H01L21/304 642A , H01L21/304 648G

Fターム (55件)：

5F043AA35 , 5F043BB23 , 5F043BB27 , 5F043DD07 , 5F043EE12 , 5F043EE22 , 5F043EE23 , 5F043EE24 , 5F043EE25 , 5F043EE28 , 5F043EE29 , 5F043EE31 , 5F043EE32 , 5F043EE36 , 5F043FF10 , 5F043GG10 , 5F157AA30 , 5F157AA63 , 5F157AB03 , 5F157AB13 , 5F157AB34 , 5F157AB48 , 5F157AB62 , 5F157AB74 , 5F157AC01 , 5F157AC13 , 5F157BB04 , 5F157BB66 , 5F157BC12 , 5F157BC54 , 5F157BE12 , 5F157BE47 , 5F157BE48 , 5F157BE57 , 5F157BE58 , 5F157BE59 , 5F157BE63 , 5F157BF82 , 5F157BF83 , 5F157CD34 , 5F157CE10 , 5F157CE33 , 5F157CE36 , 5F157CE37 , 5F157CF04 , 5F157CF14 , 5F157CF34 , 5F157CF42 , 5F157CF44 , 5F157CF60 , 5F157CF74 , 5F157DB02 , 5F157DB03 , 5F157DB45 , 5F157DC86

引用特許：

審査官引用 (5件)

基板処理装置および基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-153911 出願人：株式会社SCREENホールディングス
半導体窒化膜エッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-081176 出願人：三菱電機株式会社
エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-225467 出願人：東京エレクトロン株式会社

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