特許
J-GLOBAL ID：201903003419078052
電界効果トランジスタ形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
塩原 嘉男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-510349
特許番号：特許第6518007号
出願日： 2016年08月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 電界効果トランジスタを形成する方法であって、
平滑面を有するリリース層をキャリア基板に設けるステップと、
ソース電極、ゲート電極、および、ドレイン電極を前記リリース層に堆積させるステップと、
前記ソース電極と前記ゲート電極と前記ドレイン電極と成形用ポリマーとが前記リリース層の平滑面に対して平面表面を形成するように、当該成形用ポリマーを、前記ソース電極、前記ゲート電極、および、前記ドレイン電極の上に重ねて前記リリース層に堆積させるステップと、
前記キャリア基板と前記リリース層とを取り除くステップと、
誘電体を、前記ゲート電極と前記ソース電極および前記ドレイン電極の少なくとも一部との上に重ねて前記平面表面に設けるステップと、
2次元材料の層を前記誘電体に堆積させるステップと、
第1コンタクトが前記ソース電極と前記2次元材料との間の直流経路となるように、当該第1コンタクトを前記ソース電極と前記2次元材料との間に設けるステップと、
第2コンタクトが前記ドレイン電極と前記2次元材料との間の直流経路となるように、当該第2コンタクトを前記ドレイン電極と前記2次元材料との間に設けるステップとを含む、
電界効果トランジスタ形成方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 51/30 ( 200 6.01)
, H01L 51/05 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 626 C
, H01L 29/28 250 E
, H01L 29/28 100 A
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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