特許

J-GLOBAL ID：201903005056977273

レジストパターン形成方法

発明者： 堤 隆志 ,  古澤 孝弘
出願人/特許権者： 日本ゼオン株式会社 ,  国立大学法人大阪大学
代理人 (4件)： 杉村 憲司 ,  杉村 光嗣 ,  寺嶋 勇太 ,  池田 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-105274
公開番号（公開出願番号）：特開2019-211532
出願日： 2018年05月31日
公開日（公表日）： 2019年12月12日
要約：

【課題】極端紫外線を用いてレジストパターンを効率的に形成し得る方法を提供する。【解決手段】一般式(I)で表される単量体単位(A)と、αメチルスチレン系単量体単位(B)とを有する共重合体と、溶剤とを含むポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜を極端紫外線で露光する工程と、露光されたレジスト膜を現像する工程とを含む、レジストパターン形成方法。なお、式中、Bは、置換基を有していてもよい架橋環式飽和炭化水素環基を示し、nは0又は1を示す。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(I):

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  C08F 220/12 ,  C08F 212/06 ,  G03F 7/20

FI (5件)：

G03F7/039 501 ,  C08F220/12 ,  C08F212/06 ,  G03F7/20 501 ,  G03F7/20 521

Fターム (21件)：

2H197CA10 ,  2H197CE10 ,  2H197GA01 ,  2H197HA03 ,  2H197HA10 ,  2H225AM14P ,  2H225AM30P ,  2H225AN31P ,  2H225CA12 ,  2H225CC03 ,  2H225CC20 ,  2H225CD05 ,  4J100AB02Q ,  4J100AL08P ,  4J100BC09P ,  4J100CA04 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-007617   出願人：東レ株式会社
• ポジ型感放射線性組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-221889   出願人：東レ株式会社
• ポジ型レジスト組成物及びその製造方法、並びに、当該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターンの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-135036   出願人：大日本印刷株式会社
• レジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2018-055193   出願人：日本ゼオン株式会社