基板処理方法及び基板処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊東忠重 , 伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-095727
公開番号（公開出願番号）：特開2019-201147
出願日： 2018年05月17日
公開日（公表日）： 2019年11月21日
要約：

【課題】基板載置台の温度が異なる複数の処理を行うに当たり、基板載置台の昇温時間と降温時間を短縮してスループットの短縮化を図る基板処理方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】本開示の基板処理方法は、基板載置台を第1温度に温調して基板を処理する第1処理工程と、前記基板載置台を前記第1温度よりも高い第2温度に温調して前記基板を処理する第2処理工程と、を有し、前記基板載置台を前記第1温度から前記第2温度へ温調する際には、前記チラーの設定温度を維持する第1流量の前記冷媒を前記チラーから前記冷媒流路に流通させると共に、前記ヒータを稼働させ、前記基板載置台を前記第2温度から前記第1温度へ温調する際には、前記第1流量よりも流量の多い第2流量の前記冷媒を前記チラーから前記冷媒流路に流通させると共に、前記ヒータを稼働させ、もしくは前記ヒータの稼働を停止させる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

処理容器内にあり、冷媒が流通する冷媒流路とヒータを内蔵する基板載置台と、前記冷媒流路との間で前記冷媒を循環させるチラーと、を有する基板処理装置により基板を処理する基板処理方法であって、前記基板載置台を第1温度に温調して前記基板を処理する第1処理工程と、前記基板載置台を前記第1温度よりも高い第2温度に温調して前記基板を処理する第2処理工程と、を有し、前記基板載置台を前記第1温度から前記第2温度へ温調する際には、前記チラーの設定温度を維持する第1流量の前記冷媒を前記チラーから前記冷媒流路に流通させると共に、前記ヒータを稼働させて前記基板載置台を前記第2温度とし、前記基板載置台を前記第2温度から前記第1温度へ温調する際には、前記第1流量よりも流量の多い第2流量の前記冷媒を前記チラーから前記冷媒流路に流通させると共に、前記ヒータを稼働させ、もしくは前記ヒータの稼働を停止させて前記基板載置台を前記第1温度とする、基板処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , H01L 21/683

FI (2件)：

H01L21/302 101G , H01L21/68 N

Fターム (35件)：

5F004AA16 , 5F004BA09 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004BB26 , 5F004BB28 , 5F004CA04 , 5F004CA06 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA15 , 5F004DA17 , 5F004DA20 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DB03 , 5F004EA28 , 5F004FA01 , 5F131AA02 , 5F131BA04 , 5F131BA18 , 5F131BA19 , 5F131CA32 , 5F131EA03 , 5F131EA06 , 5F131EB11 , 5F131EB14 , 5F131EB17 , 5F131EB78 , 5F131EB81 , 5F131EB82 , 5F131HA22 , 5F131KA23 , 5F131KA54

引用特許：

審査官引用 (8件)

ドライエッチング処理方法及びドライエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-293596 出願人：ソニー株式会社
基板処理装置、基板処理方法および記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-068127 出願人：東京エレクトロン株式会社
ダイの破壊強度を高め、側壁を平滑化するためのレーザスクライビング及びプラズマエッチング
公報種別：公表公報出願番号：特願2016-523770 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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