特許
J-GLOBAL ID：201903007789620510
スパッタリング用チタンターゲット及びその製造方法、並びにチタン含有薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
アクシス国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-181694
公開番号（公開出願番号）：特開2019-056151
出願日： 2017年09月21日
公開日（公表日）： 2019年04月11日
要約：
【課題】スパッタリング時の亀裂又は割れだけでなく、パーティクル及びノジュールの発生も抑制することが可能なスパッタリング用チタンターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】平均結晶粒径が1μm以下の再結晶組織を有するスパッタリング用チタンターゲットとする。また、切断したチタンインゴットを大ひずみ加工して加工板を得る工程と、前記加工板を30%以上の圧延率で冷間圧延して圧延板を得る工程と、前記圧延板を320°C以下の温度で熱処理する工程とを含むスパッタリング用チタンターゲットの製造方法とする。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
平均結晶粒径が1μm以下の再結晶組織を有するスパッタリング用チタンターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (3件)：
4K029DC03
, 4K029DC07
, 4K029DC08
