特許
J-GLOBAL ID：201903007941774145
フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 宏義
, 天田 昌行
, 岡田 喜雅
, 菅野 亨
, 溝口 勉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-238664
公開番号（公開出願番号）：特開2015-099245
特許番号：特許第6522277号
出願日： 2013年11月19日
公開日（公表日）： 2015年05月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 被転写体上に、線幅Wpのデバイスパターンを近接露光によって形成するための転写用パターンを備えた、一辺が300mm以上の主表面をもつ表示装置製造用のフォトマスクであって、
前記転写用パターンは、
透明基板上に少なくとも遮光膜が形成されてなる遮光領域と、
前記遮光領域に挟まれて配置された抜きパターンであって、前記デバイスパターンに対応する、線幅Wmの第1抜きパターンと、を有し、
前記第1抜きパターンは、前記透明基板上に半透光膜が形成された半透光部からなり、
前記半透光膜の露光光透過率は、20〜60%であり、かつ、
前記デバイスパターンの線幅Wpと前記第1抜きパターンの線幅Wmとの関係は、下記式(1)及び式(3)を満たすものであることを特徴とする、フォトマスク。
Wp≦8μm ・・・(1)
1.0≦(Wm-Wp)/2 ≦ 3.0(μm) ・・・(3)
IPC (2件)：
G03F 1/70 ( 201 2.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
G03F 1/70
, G03F 7/20 501
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (10件)
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