特許

J-GLOBAL ID：201903011214353851

多成分材料のプラズマエッチング加工方法

発明者： 山村 和也 ,  大久保 雄司 ,  孫 栄硯
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学
代理人 (5件)： 柳野 隆生 ,  柳野 嘉秀 ,  森岡 則夫 ,  関口 久由 ,  中川 正人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-017230
公開番号（公開出願番号）：特開2019-131451
出願日： 2018年02月02日
公開日（公表日）： 2019年08月08日
要約：

【課題】多成分材料で高硬度かつ化学的不活性な材料であっても、スクラッチや加工変質層の生成がなく、効率よく低コストにダメージのない均一で良好な表面粗さが得られる加工方法を提供せんとする。【解決手段】プラズマ発生条件を、多成分材料を構成する各成分からなる材料のエッチングレートが、ほぼ同じレートとなる範囲内のプラズマ発生条件に設定し、該プラズマ発生条件を用いて、多成分材料をプラズマエッチング加工することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

多成分材料のプラズマエッチング加工方法であって、 プラズマ発生条件を、多成分材料を構成する各成分からなる材料のエッチングレートが、ほぼ同じレートとなる範囲内のプラズマ発生条件に設定し、 該プラズマ発生条件を用いて、多成分材料をプラズマエッチング加工することを特徴とするプラズマエッチング加工方法。

IPC (3件)：

C04B 41/91 ,  H05H 1/30 ,  B01J 19/08

FI (3件)：

C04B41/91 Z ,  H05H1/30 ,  B01J19/08 E

Fターム (16件)：

2G084AA02 ,  2G084BB14 ,  2G084CC14 ,  2G084CC34 ,  2G084DD04 ,  2G084DD17 ,  2G084GG02 ,  2G084GG07 ,  4G075AA30 ,  4G075BC06 ,  4G075CA47 ,  4G075CA51 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EB41 ,  4G075FB04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 常圧プラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-352846   出願人：積水化学工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-032963   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社デンソー
• 圧電体薄膜の加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-201577   出願人：日立電線株式会社